Энциклопедии Книга "История отечественной электроники" - Издательский дом «Столичная энциклопедия»
История отечественной электроники. 1 том
В 2011 г. «Столичная энциклопедия» приступила к изданию многотомной серии «История отечественной радиоэлектроники». В этом же году увидела свет первая книга серии – «История отечественной радиолокации», тираж которой был продан в рекордно короткий срок – за один месяц (заявки на книгу от российских и иностранных читателей продолжают поступать по сей день). В сентябре 2012 г. вышел первый том следующей книги серии «История отечественной электроники». Выпуск второго тома ожидается в декабре 2012 г. В 2013-2015 гг. выйдут в свет книги «История отечественных средств связи», «История отечественной вычислительной техники», «История отечественных систем управления» и др. «ИСТОРИЯ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ». Том 1Под редакцией директора Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга России А.С.Якунина Научные редакторы Б.Н.Авдонин, А.С.Андреев Составитель С.А.Муравьев В книгу включены материалы ведущих предприятий, организаций, учреждений радиоэлектронной отрасли об истории, современном состоянии и перспективах развития отечественной электронной компонентной базы, использовании новейших технологий в создании современных изделий электронной техники, их технических и конструктивных особенностях. Цена - 2 000 руб. за 1 экз. Том 1. ISBN 978-5-903989-17-1 Для знакомства с историей электронной отрасли предлагаем 40 из 1000 уникальных фотографий, опубликованных в первом томе книги «История отечественной электроники». ОАО «НПП «АЛМАЗ» – ОСНОВНОЙ РАЗРАБОТЧИК ЛБВ СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ И КОМПЛЕКСИРОВАННЫХ ИЗДЕЛИЙ НА ИХ ОСНОВЕ
Н.А.Бушуев
Твердотельная СВЧ-электроника… Приборы, разработанные в НПК-2, делали на опытном заводе «Эридан» и в Борисоглебске. Руководителем комплекса оставался Э.А.Семенов. Структура НПК-2 менялась в соответствии с задачами и целями работы. Костяк специалистов составляли Э.В.Мичурин – главный конструктор изделия «Олеум», В.С.Гришин – руководитель лаборатории, начальники отделов В.П.Кобякин, В.П.Густерин, В.Н.Посадский. Для изготовления фотошаблонов пришлось с нуля создать соответствующий комплекс. А для того, чтобы обеспечить работу комплекса электронной литографии, который «не терпел» никаких вибраций, пришлось делать специальную пристройку к зданию и специальную платформу, которая сваями «опиралась» на материковую землю. Во главе этого комплекса стоял В.В.Былинкин, особый вклад в становление и работу комплекса внесли А.А.Муравьев и его ученик А.Р.Зулкарнеев. Огромное значение имела квалификация тех, кто работал в сборочном цехе (руководители В.Н.Иванов, Н.А.Бушуев, К.В.Семенов, В.А.Шишков, затем Л.Я.Назаров). Поскольку работа велась в круглосуточном режиме, настройщикам организовывали горячее питание и обеспечение продуктовыми наборами (это было время жесточайшего дефицита!), а также материальную стимуляцию результатов труда. За участие в разработке приборов, основанных на распространении акустоэлектрических волн, А.В.Соловьеву, Э.А.Семенову, В.Н.Посадскому и Л.И.Хильченко в 1987 г. присуждена Государственная премия СССР. После открытия направления синтезаторов частот многие технические задачи были решены нетрадиционным образом. За работы этого направления В.П.Густерин, Э.В.Мичурин получили вторую для коллектива НПК-2 Государственную премию СССР. С 1998 г. предприятием ФГУП «НПП «Алмаз» руководит Н.А.Бушуев, более 10 лет проработавший на «Алмазе» начальником цеха. Разработка ЭВП СВЧ осуществляется в НПЦ «Электронные системы», директор М.П.Апин. За короткое время было полностью восстановлено производство. Удачный подбор кадров, тщательная расстановка приоритетов, активная работа с заказчиками и ориентация на высокотехнологичные составляющие продукции позволили не только сохранить предприятие, но и обеспечить его динамичное развитие. С 1999 г. объемы производства стали неуклонно расти и в течение последующих десяти лет они увеличились в 6,5 раза. Одной из главных причин такого роста явилось наличие в «Алмазе» передовой научной школы и конструкторско-технологического задела, которые оказались востребованными на мировом рынке СВЧ-техники и прежде всего в странах Юго-Восточной Азии (КНР). За 15 лет сотрудничества было выполнено 55 контрактов на сумму 5,2 млн долларов США с предприятиями КНР, Польши, США, Литвы. Была проведена успешная работа по импортозамещению изделий, изготавливаемых ранее в основном на предприятиях Украины. Началось восстановление структур по подготовке специалистов, в т.ч. организация филиала кафедры «Электронные приборы и устройства» Саратовского технического университета (руководитель докт. техн. наук В.П.Кудряшов) и базовой кафедры по электронике СВЧ Саратовского университета им. Н.Г.Чернышевского (руководитель докт. эконом. наук Н.А.Бушуев).
ЗАВОДСКИЕ ХРОНИКИОчерк об истории завода ОАО «Плутон», его деятельности, достижениях и современных разработках, о выдающихся сотрудниках предприятия Автор-составитель – В.С.Лобачев При создании очерка использовались материалы книги «Завод «Плутон» 80 лет», автор-составитель – заслуженный машиностроитель СССР В.С.Лобачев; коллектив соавторов книги: Л.А.Семенов, Л.М.Марголис, А.М.Левин, Ю.И.Прибылов, А.И.Пипко, В.М.Комиссарчик, Е.И.Зорин, Е.А.Кузовков, С.М.Вайнер, Ю.Э.Райс, Г.А.Азов. В основу очерка также вошли статьи М.Н.Зыбина, Н.Скрипкина, И.П.Ли … В 1940-1950-е гг. на завод и в ОКБ пришли молодые выпускники институтов, многие из которых в дальнейшем стали главными конструкторами, начальниками лабораторий и отделов, ведущими специалистами, крупными руководителями, широко известными за пределами предприятия. В их числе были М.Ф.Копылов, Э.Д.Шлифер, А.С.Гладков, А.В.Атласман, П.И.Обжерин, Г.И.Бабич, В.М.Пролейко, Н.П.Ледовский, В.Н.Мешкичев, В.П.Троицкий, О.В.Чернов, В.К.Веселовский, Г.М.Кальман, А.В.Грачев, А.И.Пипко, Л.М.Марголис, М.Н.Панкратьев, Ю.Э.Райс, А.А.Гаврилов, А.М.Левин, М.В.Кащенко, Д.Л.Новиков, В.Я.Плисковский, Г.В.Белоконева, В.Г.Аникин, Ю.С.Пузырийский, Р.Н.Сочихина, И.В.Златкис, А.А.Гурко, Е.В.Руденский, В.Н.Быстрова, А.П.Огиевская, З.В.Кукушкина, С.Д.Белокопытов, И.К.Немиров и ряд других молодых специалистов. В 1951 г. главные конструкторы магнетронов П.И.Седов и И.М.Гаврилин, начальник лаборатории радиоизмерений Г.Я.Мирский, начальник цеха И.И.Румянцев, главный технолог ОКБ А.И.Михайлов и монтажница приборов Е.И.Ускова были удостоены званий лауреатов Сталинской премии. С 1951 по 1964 гг. начальником ОКБ работал Л.Н.Спаский, он же до 1975 г. выполнял обязанности заместителя начальника ОКБ. Как и на многих других предприятиях отрасли, с 1964 г. директора завода одновременно являлись и начальниками ОКБ. В структуре ОКБ до 1955 г. разработку магнетронов вели лаборатории, которыми руководили П.И.Седов и И.М.Гаврилин, а также лаборатория по разработке магнетронов миллиметрового диапазона длин волн под руководством М.А.Налимова. Лаборатория провела несколько работ, результатом которых было создание магнетрона 8-миллиметрового диапазона длин волн и магнетронов других диапазонов. «Безнакальные магнетроны» 8-миллиметровых длин волн, или т.н. магнетроны с «холодным» катодом, до сих пор не имеют аналогов в мире и являются гордостью предприятия. Заместителем главного конструктора был В.П.Марин, который впоследствии стал главным конструктором мощных СВЧ-приборов и был удостоен почетных званий заслуженного деятеля науки РФ и лауреата Государственной премии СССР (дважды). В это же время была организована лаборатория Б.А.Королева для разработки катодных узлов магнетронов. Лаборатория П.И.Седова занималась разработкой 2- и 3-сантиметровых импульсных магнетронов как с перестройкой частоты, так и с фиксированной частотой. Начальник лаборатории П.И.Седов был отличным инженером и физиком. В 1939-1940 гг. он проходил стажировку на производстве электронных приборов фирмы RCA в США. В годы Великой Отечественной войны сражался на фронте. В апреле 1945 г. был отозван с фронта и направлен для работы на завод. Начальником лаборатории П.И.Седов работал с 1948 по 1975 гг. Он являлся главным конструктором более 15 типов магнетронов. В лаборатории П.И.Седова главными конструкторами магнетронов работали Ю.А.Малышев, Д.Т.Дебелев, З.В.Кукушкина. В 1961 г. за проведение важнейших разработок и внедрение их в производство указом Президиума Верховного Совета СССР П.И.Седову было присвоено звание Героя Социалистического Труда. Лаборатория ОКБ во главе с И.М.Гаврилиным вначале специализировалась на разработке магнетронов 10-сантиметрового диапазона. За разработку магнетронов и освоение их в производстве в 1951 г. группе работников завода, в т.ч. И.М.Гаврилину, была присуждена Государственная премия СССР. За разработку магнетронов он награжден орденами Ленина и Трудового Красного Знамени. И.М.Гаврилин воевал, имеет боевые награды. После окончания военной службы поступил на работу на завод «Точизмеритель». В тот период он был одним из немногих специалистов, обладавших определенными знаниями в области радиофизики. К тому же он имел профессиональный навык металлиста. Вполне естественно, что его назначили разработчиком особо мощных магнетронов. В 1950-е гг. главным конструктором А.П.Огиевской в лаборатории разработаны магнетрон с импульсной мощностью один МВт и магнетрон с низкой скважностью большой средней мощности. Заместителем главного конструктора по этим приборам была Т.В.Козлова. В 1957 г. в лаборатории был разработан и внедрен в производство магнетрон 17-сантиметрового диапазона. Его главным конструктором был Э.Д.Шлифер. В 1962 г. он назначается начальником лаборатории. … В научно-технической деятельности коллектива завода и ОКБ значительное место занимала изобретательская деятельность. В процессе разработки новой техники и совершенствования ранее созданной за счет изобретений, на которые государственными органами выданы патенты и свидетельства об изобретении, создана интеллектуальная собственность предприятия. Свидетельства об изобретениях и патенты, полученные их авторами – работниками предприятия в период с 1960 по 1990 гг., – распределяются по следующим направлениям: 1. Создание новых конструкций, существенно отличающихся по своим параметрам, которые были отмечены 8 патентами. Авторами этих изобретений являются М.Ф.Копылов, В.А.Назаров, Э.Д.Шлифер, Л.А.Семенов, Л.М.Марголис, И.П.Ли, М.Б.Шур, Ю.А.Пипко. 2. Создание конструкций, улучшающих параметры и характеристики приборов; эти конструкции были подтверждены 32 свидетельствами об изобретениях и патентами. Авторами этих изобретений являются М.Н.Зыбин, В.И.Ларин, Л.А.Семенов, М.Б.Шур, Н.И.Скрипкин, А.А.Гурко, В.И.Меркушов, М.Ф.Копылов, Л.М.Марголис, А.В.Атласман, А.И.Пипко. 3. Совершенствование конструкции и схемотехнических решений устройств технологического назначения и устройств хозяйственного применения; отмечены 25 патентами и свидетельствами об изобретениях. Авторами этих изобретений являются А.И.Пипко, В.В.Шмырев, В.В.Степанов, Л.Гольдич, Б.С.Юрков, В.Г.Александров, А.А.Гаврилов, В.Аникин и др. 4. Совершенствование, улучшение способов технологического изготовления, контроля, испытаний, подтвержденные 33 свидетельствами об изобретении. Авторами этих изобретений являются Е.Н.Бухарин, В.И.Ларин, Ю.Э.Райс, Ю.И.Прибылов, Г.В.Белоконева, Л.И.Боброва и др. Зарегистрированных свидетельств об изобретениях и патентах, полученных работниками завода с 1964 по 2002 гг., насчитывается более 170. На международной выставке «Эврика-97» за 3 изобретения М.Н.Зыбину вручена золотая медаль. Также диплома и золотой медали удостоен магнетрон 2-миллиметрового диапазона выходной мощностью 4 кВт, автором которого является А.А.Гурко.
ОАО «НПП «АЛМАЗ» – ОСНОВНОЙ РАЗРАБОТЧИК ЛБВ СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ И КОМПЛЕКСИРОВАННЫХ ИЗДЕЛИЙ НА ИХ ОСНОВЕН.А.Бушуев Твердотельная СВЧ-электроника Первым подразделением твердотельной СВЧ-электроники была лаборатория под руководством В.Н.Посадского (1971 г.) (начальник отдела Э.А.Семенов). Она быстро набирала силу, и в 1974 г. были разработаны твердотельные линии задержки «Пирс-2» и «Пирс-3», которые в 1975 г. были переданы в серийное производство на завод «Тантал». Одновременно велась поставка крупными партиями детекторного модуля «Поляна» (В.П.Кобякин). Вскоре началась разработка широкополосных усилителей на полевых транзисторах (ОКР «Обмер»), усилительных систем с использованием ЛБВ («Ива-2», «Ива-5», «Ива-7», «Ива-8»), синтезаторов частот, объемных акустических линий задержки, ограничителей мощности на р-i-n-диодах и других изделий твердотельной СВЧ-электроники. В 1978 г. в отделе появилась гибридно-интегральная технология, и с 1980 г. отделение 2 стало разрабатывать и выпускать твердотельные приборы и устройства. Основными направлениями в работе отдела были твердотельные усилители на полевых транзисторах, синтезаторы частот, объемные акустические линии задержки, ограничители мощности на pin-диодах, усилительные системы с использованием ЛБВ типа «Ива». Впоследствии 2-е отделение стало научно-производственным комплексом (НПК-2). В его структуру перешло все, что входило в отделение. В то же время по объемам производства, по численности сотрудников он увеличился в несколько раз. Это было связано с тем, что «Алмазу» было поручено задание государственной важности – комплектация самолетов Су-27 и МиГ-29 новым блоком. Эта работа была на контроле у министра электронной промышленности и оборонного отдела ЦК КПСС. При его выполнении был разработан совершенно новый технологический цикл – технология гибридно-интегральных схем, причем саратовское предприятие было единственным нестоличным предприятием, которое ее разработало и освоило. С подразделения много спрашивалось, но многое и давалось. НПК-2 получил большое количество оборудования, в т.ч. импортный мощный комплекс электронной литографии, который позволял рисовать схемы размером менее 0,5 микрона. В Саратове это был единственный подобный комплекс, и даже в Союзе в то время их были считанные единицы. Также в это время комплекс был оснащен большим количеством механической оптики, металлообрабатывающего и самого современного по тем временам отечественного измерительного оборудования. Приборы, разработанные в НПК-2, делали на опытном заводе «Эридан» и в Борисоглебске. Руководителем комплекса оставался Э.А.Семенов. Структура НПК-2 менялась в соответствии с задачами и целями работы. Костяк специалистов составляли Э.В.Мичурин – главный конструктор изделия «Олеум», В.С.Гришин – руководитель лаборатории, начальники отделов В.П.Кобякин, В.П.Густерин, В.Н.Посадский. Для изготовления фотошаблонов пришлось с нуля создать соответствующий комплекс. А для того, чтобы обеспечить работу комплекса электронной литографии, который «не терпел» никаких вибраций, пришлось делать специальную пристройку к зданию и специальную платформу, которая сваями «опиралась» на материковую землю. Во главе этого комплекса стоял В.В.Былинкин, особый вклад в становление и работу комплекса внесли А.А.Муравьев и его ученик А.Р.Зулкарнеев. Огромное значение имела квалификация тех, кто работал в сборочном цехе (руководители В.Н.Иванов, Н.А.Бушуев, К.В.Семенов, В.А.Шишков, затем Л.Я.Назаров). Поскольку работа велась в круглосуточном режиме, настройщикам организовывали горячее питание и обеспечение продуктовыми наборами (это было время жесточайшего дефицита!), а также материальную стимуляцию результатов труда. За участие в разработке приборов, основанных на распространении акустоэлектрических волн, А.В.Соловьеву, Э.А.Семенову, В.Н.Посадскому и Л.И.Хильченко в 1987 г. присуждена Государственная премия СССР. После открытия направления синтезаторов частот многие технические задачи были решены нетрадиционным образом. За работы этого направления В.П.Густерин, Э.В.Мичурин получили вторую для коллектива НПК-2 Государственную премию СССР. С 1998 г. предприятием ФГУП «НПП «Алмаз» руководит Н.А.Бушуев, более 10 лет проработавший на «Алмазе» начальником цеха. Разработка ЭВП СВЧ осуществляется в НПЦ «Электронные системы», директор – М.П.Апин. За короткое время было полностью восстановлено производство. Удачный подбор кадров, тщательная расстановка приоритетов, активная работа с заказчиками и ориентация на высокотехнологичные составляющие продукции позволили не только сохранить предприятие, но и обеспечить его динамичное развитие. С 1999 г. объемы производства стали неуклонно расти и в течение последующих десяти лет они увеличились в 6,5 раза. Одной из главных причин такого роста явилось наличие в «Алмазе» передовой научной школы и конструкторско-технологического задела, которые оказались востребованными на мировом рынке СВЧ-техники и прежде всего в странах Юго-Восточной Азии (КНР). За 15 лет сотрудничества было выполнено 55 контрактов на сумму 5,2 млн долларов США с предприятиями КНР, Польши, США, Литвы. Была проведена успешная работа по импортозамещению изделий, изготавливаемых ранее в основном на предприятиях Украины. Началось восстановление структур по подготовке специалистов, в т.ч. организация филиала кафедры «Электронные приборы и устройства» Саратовского технического университета (руководитель докт. техн. наук В.П.Кудряшов) и базовой кафедры по электронике СВЧ Саратовского университета им. Н.Г.Чернышевского (руководитель – докт. экон. наук Н.А.Бушуев). Приказом РАСУ № 26 от 3 февраля 2004 г. предприятие было определено базовым научным центром по вакуумной широкополосной электронике. Оно принимает активное участие в Федеральных целевых программах «Развитие ОПК» и «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники». Полным ходом идет модернизация производства предприятия, переоснащение его современным высокоэффективным и энергосберегающим оборудованием.
ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ ОАО «НПП «КОНТАКТ»В.В.Муллин Саратовское предприятие «Контакт» − уникальный завод с огромными производственными площадями, способный разместить крупногабаритное и энергоемкое оборудование, с экранированным залом динамических испытаний площадью 12000 м2, снабженным автономной системой водоснабжения деионизованной водой, вентиляцией и мощной энергетикой, которая обеспечивала надежную работу всего крупногабаритного, энергоемкого испытательного оборудования мощных и сверхмощных электровакуумных приборов. Предприятие обладает мощными цехами для снабжения производства технологическими газами (водородом, кислородом, азотом, воздухом) с высокими требованиями к их качеству; надежным электроснабжением, обеспечивающим непрерывный технологический цикл. Завод укомплектован современным металлорежущим и спецтехнологическим оборудованием, обладает достаточной машиностроительной базой, и базой для научных разработок и опытно-конструкторских работ. На предприятии трудился дружный коллектив рабочих и специалистов. Все это было создано самоотверженной работой директоров завода К.Ф.Бобылева, Б.В.Спицына; заместителей директора по капитальному строительству Д.К.Норинского, В.А.Сотникова, Е.Б.Дмитриева, Р.Е.Власова, М.Д.Масленникова и их помощников В.И.Самойлова и А.Д.Романдина; главных инженеров завода В.В.Рудакова, Ю.И.Киреева; Г.Г.Терентьева; начальников ОКБ Н.А.Мофет, В.В.Рудакова; а также руководителей служб и подразделений, рядовых специалистов и рабочих; проектировщиков ГСП-6, которые дважды в разгар работ кардинально корректировали проект строительства – это К.Н.Степанов-Стружкин, С.Б.Молотилов, В.А.Альтерман, В.Г.Агуров, В.А.Закурдаев и другие специалисты института; военных строителей Р.Н.Каракулько, С.Н.Юдина, Е.Ф.Серогнедова. Огромную роль в становлении и развитии предприятия сыграли специалисты и ученые предприятий-разработчиков: «Светланы», «Истока», «Тория»; а также руководители министерства и 1-го Главка: А.А.Захаров, И.Т.Якименко, Ю.А.Козлов, В.Г.Калашников, В.В.Васина, А.М.Бройде, Ю.А.Искренко, В.П.Троицкий, Ю.И.Кожеуров, М.Е.Бобков, Б.В.Ляшенко, А.Б.Платов и другие работники министерства. Невозможно переоценить результаты титанической работы, проделанной на предприятии по внедрению Саратовской системы бездефектного изготовления продукции. Эта система планомерно и под жестким контролем Обкома КПСС и ГНТУ министерства, руководимого В.М.Пролейко, внедрялась на предприятии с 1962 г. и была внедрена в 1963 г. Далее эта система непрерывно совершенствовалась и углублялась, охватывая все этапы изготовления продукции от разработки документации, входного контроля материалов и энергоносителей до сдачи продукции заказчику с первого предъявления. Результаты этой внедренной системы верно служат предприятию и дают свои положительные результаты. … В 1992-2003 гг. на предприятии был поставлен ряд ОКР по доработке конструкции и технологии, с последующим освоением в серийном производстве, 28 типов МГЛ, тиратронов и модуляторных ламп. Особая сложность заключалась в том, что лампы подобной конструкции ранее не выпускались на предприятии, и была необходима сложная работа по освоению новых технологий, оборудования, смена поставщиков материалов и комплектующих. Кроме того, Правительство Украины наложило запрет на передачу технической документации и технической информации на производство МГЛ, ранее выпускавшихся на ПО «Полярон», и основные технологические процессы пришлось разрабатывать на основе собственного опыта, иногда недостаточного для разработки новой конструкции и технологии. В процессе подготовки производства была проделана большая работа по замене марок ковара и стекла (из-за прекращения производства на заводах-поставщиках), по разработке и освоению нового вида гальванических покрытий, пайки металлостеклянных узлов, откачки. В числе разработанных и освоенных МГЛ, 5 ламп – аналоги импортных ламп фирмы «Тошиба», специально разработанные для поставок на рынки Азии. Разработка и изготовление этих ламп потребовало особо сложной работы по отработке конструкции и технологии, по подбору материалов и комплектующих для обеспечения параметров и внешнего вида. Огромную роль в разработке и освоении этих изделий сыграли специалисты предприятия: В.К.Казаков, Г.П.Найденов, С.А.Пужляков, Г.П.Москвичев, В.М.Петрушин, С.М.Суворова, В.В.Гарин, К.П.Локтева, И.В.Волков, С.В.Смолякова, В.И.Клименко, А.Б.Данилов, В.Н.Александров, М.Ю.Павленко, А.Е.Кудрявцев, В.П.Толченов, А.А. Свистун и др. Помогли в работе давние дружеские связи со специалистами ОАО «Светлана»; помощь в освоении МГЛ В.В.Попова, В.З.Ветрова, Б.В.Павлова, Р.Л.Семенова, В.С.Прилуцкого и других работников «Светланы» огромна. Особую благодарность за техническую помощь специалисты «Контакта» выражают разработчику тиратронов, старейшему разработчику ФГУП «Исток» Т.Б.Фогельсон. В 1993 г. по инициативе Л.А.Петрова было достигнуто соглашение с разработчиками вакуумной коммутационной аппаратуры – Всероссийским электротехническим институтом – об организации на НПП «Контакт» серийного производства вакуумных дугогасительных камер, крайне необходимых для технического перевооружения предприятий РАО ЕЭС и ТЭК. Технология изготовления камер в основном совпадала с технологией изготовления электровакуумных приборов; на предприятии имелся полный набор технологического оборудования. Этот выбор стал для завода поистине историческим, определившим путь дальнейшего развития завода и его судьбу. Для начала серийного производства было необходимо спроектировать и изготовить испытательное оборудование и модернизировать технологическое. В тесном сотрудничестве и с помощью специалистов ВЭИ Г.С.Белкина, Ю.Г.Ромочкина, И.А.Лукацкой, А.А.Перцева уже в 1993 г. была доработана конструкция, разработана технология и изготовлены первые 240 шт. камер КДВХ-10-20/1600 и КДВ2-35-25/1600, а с 1994 г. началось их серийное производство, было выпущено более 2 тыс. шт. камер. На предприятии разработано и освоено 22 типа низковольтных и высоковольтных вакуумных дугогасительных камер на широкий спектр номинальных токов от 250 до 3150 А и напряжений от 1,14 до 35 кВ, закончена разработка уникальной камеры на 60 кВ, разрабатывается вакуумная камера на 110 кВ, каких еще нет нигде в мире. Предприятие стало самым крупным в России разработчиком и производителем вакуумных дугогасительных камер и в предкризисном 2007 г. произвело их 63900 шт. В 2009 г. производство камер составило около 30 % от объема всех электровакуумных приборов. НПП «Контакт» является единственным в России предприятием по разработке и серийному производству вакуумных дугогасительных камер, которые ведутся в творческом сотрудничестве с учеными ВЭИ им. Ленина. Большой вклад в дело проектирования, применения в производство дугогасительных камер внесли работы генерального директора предприятия к.т.н. В.В.Муллина. Бесценный вклад в разработку и налаживание производства камер на заводе внесли Ю.А.Клецкин, В.Е.Орлов, В.В.Исаенко, И.В.Волков, С.В.Наумов, В.И.Куликов, И.А.Хабибулин. … Первой самостоятельно разработанной на «Контакте» моделью был «Супер» – выключатель ВБ-10-20(31,5)/630-1600 У2, спроектированный по принципу модулей, что дает ему огромные преимущества в части производства и адаптации для разных потребителей. На предприятии разработано и производится 16 моделей выключателей на напряжение от 10 до 35 кВ и токи отключения до 40 кА на все типы ячеек КРУ отечественного производства и ряда зарубежных стран. Также предприятие проводит большую работу по адаптации выключателей к подстанциям заказчиков. Основная тяжесть разработки и производства выключателей легла на плечи В.Д.Чайки, О.В.Тихонова, В.Г.Кузнецова, М.А.Матова, А.И.Дергачева, Г.В.Крылова, А.С.Чиркова, В.В.Капустина, С.К.Сивякова, Ю.В.Прыткова, О.Д.Осадчего, Ю.И.Круглова, А.Н.Истомина и других специалистов предприятия. В КТО низковольтной аппаратуры разработаны и серийно выпускаются контакторы серии КВТ-1,14 на токи 160, 250 и 400 А и КВТ2-1,14 на токи 630 и 1600 А более 200 типоисполнений. Огромный вклад в разработку и производство контакторов внесли В.И.Толмачев, Ю.Х.Абдулин, Д.А.Кошелев, Н.В.Кошелева, Т.Ю.Видина, В.П.Дударева, С.В.Степанов и другие специалисты.
ОАО «ЦНИИ «ЭЛЕКТРОН» И СОЗДАНИЕ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ В РОССИИО.В.Алымов, Р.М.Степанов, Г.В.Левко, М.И.Сосновик 4. Оснащение телецентров страны телевизионными фотоэлектронными приборами (1963-1970 гг.) К концу 1962 г. в ОКБ числилось 1375 сотрудников, работавших на арендуемых площадях в Лесном (2500 м2) и на Набережной р. Фонтанки (3200 м2). К этому времени сформировался «костяк» ИТР и квалифицированных рабочих предприятия, определивший его развитие в последующие десятилетия. Физический отдел стал кузницей кадров для института. Из него вышли Р.М.Степанов, Б.Э.Бонштедт, В.М.Любин, А.И.Климин, Е.И.Федорова, О.А.Тимофеев, Г.Я.Коссов, В.А.Козлов, В.Л.Македонский, В.И.Фомина, Г.Б.Стучинский. Высокий уровень характеристик фотоэлектронных приборов во многом определялся работами физического и химического отделов. Они включали создание теории электронно-оптических систем комбинированного типа без диафрагм, математический анализ работы мишеней суперортиконов и видиконов, расчеты апертурных характеристик, систем переноса изображений и т.д. Под руководством Н.В.Дунаевской и Н.К.Далиненко при участии Р.А.Букиной, И.Р.Александрова, Ю.А.Колосова и других была разработана большая серия жалюзийных ФЭУ диаметром фотокатода от 20 до 170 мм со спектральной чувствительностью от УФ до ближней ИК области спектра. ФЭУ-112 и ФЭУ-114, созданные в лаборатории, руководимой Н.В.Дунаевской, использовались в ТВ-аппаратуре АМС типа «Марс» и «Венера» для получения цветных изображений поверхности этих планет и ИСЗ типа «Метеор» для передачи на Землю метеоусловий из космоса. В 1960-е гг. была проведена разработка серии высококачественных передающих трубок-видиконов диаметром 26 и 40 мм и суперортиконов диаметром 114 мм. Их выпуск обеспечил организацию ТВ-вещания по новой технологии – с предварительной магнитной записью и монтажом программ, позволил начать цветное ТВ-вещание. Продолжалась разработка трубок для прикладного телевидения, в т.ч. видиконов, диссекторов и фотоумножителей. В 1958-196З гг. проводятся НИОКР по созданию высокочувствительных суперортиконов ЛИ211 и ЛИ214 (главные конструктора – соответственно А.Б.Алексеева и Н.Д.Галинский). В рамках этих работ была разработана технология изготовления тонких стеклянных пленок до 0,4-0,5 мкм. Впервые были применены семикаскадные ВЭУ и повышенное напряжение в секции переноса изображения. Применен новый оригинальный способ закрепления ВЭУ в оболочке прибора. Созданный прибор ЛИ214 оказался самым высокочувствительным суперортиконом в мире, обеспечивающим передачу изображения при освещенностях до 1•10-5 лк, обладающим повышенной механической прочностью и виброустойчивостью. В 1964-1983 гг. была проведена большая работа по подготовке производства суперортиконов на Электровакуумном заводе в г. Нальчике. Практически на голом месте была создана передовая производственная база с современным технологическим оборудованием и испытательной аппаратурой, на основе которой изготавливались сложнейшие электровакуумные приборы ЛИ214, ЛИ217, ЛИ801, ЛИ803, ЛИ804. Большой вклад в эту работу внесли Н.Я.Венедиктов, Г.А.Сорокина, Л.И.Дагаева, В.А.Голубенков, Л.Г.Богачева, Г.А.Господинов и многие другие. … В 1960 г. перед ОКБ ЭВП была поставлена задача создания диссектора – передающей ТВ-трубки мгновенного действия. Разработка диссекторов проводилась под руководством Н.К.Далиненко. Первый диссектор ЛИ601 с висмуто-серебряно-цезиевым фотокатодом диаметром 34 мм, вырезывающим отверстием диаметром 0,3 мм и системой жалюзийных динодов, был разработан в 1962 г. Прибор сохранял стабильность параметров при работе в диапазоне температур от –60 до +70°С. В связи с многочисленными заказами на эти приборы во ВНИИ ЭЛП была создана лаборатория диссекторов под руководством Н.К.Далиненко.
Далиненко Николай Карпович Кандидат технических наук. Руководил направлением диссекторов для ориентации и коррекции космических аппаратов первого поколения. Лауреат Государственной премии СССР.
В 1965-1971 гг. было разработано 6 диссекторов (ЛИ603-ЛИ606, ЛИ608, ЛИ609) с многочисленными модификациями, различающиеся габаритами, типом фотокатода и размером вырезывающего отверстия. Основное применение диссекторы получили в телевизионных автоматах. В 1966 г. за создание фотоэлектронных приборов для космических исследований Г.С.Вильдгрубе был удостоен Ленинской премии. Н.К.Далиненко за создание диссектора для танкового прицела – Государственной премии в 1969 г. Многие сотрудники института награждены орденами и медалями, в частности, главный конструктор высококачественных 114-миллиметровых суперортиконов для телевизионного вещания Б.В.Круссер был награжден высшим орденом страны – орденом Ленина. Сотрудники института активно участвовали в научной жизни страны – выступали на конференциях и семинарах, подавали заявки на изобретения. Докторскую диссертацию защитил директор Г.С.Вильдгрубе, кандидатские – ведущие специалисты А.И.Климин, В.М.Любин, Б.Э.Бонштедт. Н.Д.Галинский, А.Е.Гершберг, В.С.Гдалин, О.А.Тимофеев, Р.М.Степанов, И.Н.Суриков, Н.К.Далиненко, Н.В.Дунаевская, М.И.Сосновик и др. Каждые два-три года проводились Всесоюзные научно-технические конференции по электронно-лучевым и фотоэлектронным приборам, поочередно в городах, где имелись крупные предприятия подотрасли.
Суриков Игорь Николаевич Специалист в области радиационной стойкости ФЭП. В ЦНИИ «Электрон» возглавлял направление высокочувствительных ФЭП. Доктор технических наук, профессор. Автор более 200 научных работ. Лауреат Государственной премии СССР.
С созданием Общесоюзного телецентра в Останкино началось повсеместное использование видиконов в ТВ-вещании. Для аппаратуры Останкинского телецентра, в т.ч. камер цветного телевидения, в 1964-1967 гг. были разработаны видиконы ЛИ421 и ЛИ418. Разработкой видиконов для вещания руководил А.Г.Лапук, главным конструктором видикона ЛИ421 был Д.С.Акульшин, ЛИ418 – И.В.Чепурина. Значительный вклад в эту работу внесли Л.И.Белозерова, Г.А.Нех, М.В.Богданова, Н.Н.Михайлов-Теплов, Г.А.Господинов, М.А.Антоневич, оператор Т.И.Хевеши, монтажница Л.Н.Петрова, откачница Е.М.Федотова. Разработкой фотопроводящей мишени занимались В.М.Любин, В.И.Фомина, Т.Б.Станская, Л.М.Прокатор. В создание линии изготовления видиконов вложен большой труд А.С.Прямицына, М.А.Калантарова, В.В.Золотиловой, З.М.Щипачевой.
Гершберг Анатолий Евгеньевич Доктор технических наук. Руководил направлением видиконов с электростатическим и смешанным управлением луча для цветного и черно-белого ТВ. Автор 6 монографий и 95 статей.
Разработчики электростатических видиконов были награждены медалями ВДНХ. Руководство разработкой первых электростатических видиконов и ряда последующих приборов этой группы (ЛИ419, ЛИ420, ЛИ426, ЛИ428, ЛИ465, ЛИ481, ЛИ482, ЛИ499) осуществлял А.Е.Гершберг, а видиконов ЛИ430, ЛИ437, ЛИ475 – А.Г.Лапук (он же главный конструктор трубки ЛИ430). Активными участниками этих разработок были З.И.Кузьминова, А.С.Маркизов, Л.А.Петрова, И.В.Чепурина, Г.И.Коршунова, Г.А.Нех, Н.Т.Титова, В.И.Старкова, инженеры-радисты Я.Я.Венде, Н.Н.Михайлов-Теплов, С.П.Нижегородов, инженеры-физики И.А.Петров, И.И.Ятлинко, инженеры-механики В.А.Дрожжин, В.А.Мурашов, Д.Т.Химич, специалисты по запрессовке З.М.Щипачева, А.А.Дулов, В.М.Мельникова и высококвалифицированное рабочие: механик С.М.Карпов, откачницы Г.С.Беликова, Т.А.Кизима, монтажницы Н.А.Семенова, Н.И.Федотенкова. Все эти приборы были внедрены в серийное производство на Нальчикском электровакуумном заводе. Развитие технологии прецизионной фотолитографии позволило в начале 1980-х гг. реализовать идею дефлектрона – электростатическое отклонение пучка посредством электродов специальной формы, нанесенных на внутреннюю поверхность колбы видиконов. Такие приборы для стандартов 600 и 1000 строк разрабатывала группа разработчиков: к.т.н. М.И.Сосновик (руководитель), А.С.Маркизов, И.В.Чепурина, Н.Т.Титова, И.И.Ятлинко, Н.В.Захарова, Е.Н.Карташев, Г.Я.Туренко. Такие приборы отличаются высокой разрешающей способностью, незначительными геометрическими искажениями в сочетании с малыми габаритами и экономичностью по цепям разверток пучка. Видикон ЛИ501 в радиационностойком исполнении выпускается в больших количествах опытным производством института до сих пор (начальник Р.В.Кирпиченко, ведущие технологи А.А.Рогов, Е.Н.Голубева) и используется в аппаратуре петербургской фирмы «Диаконт» для контроля ТВЭЛ атомных реакторов АЭС в России, ближнем и дальнем зарубежье. Являясь Главным конструктором МЭП по ИК-тематике, Р.М.Степанов возглавлял актуальные разработки ТВ инфракрасных приборов. В эти годы под его научным руководством коллективом специалистов (Я.Я.Венде, Н.Ф.Демина, В.Л.Македонский, Г.В.Кузнецова, В.Н.Хахулин, Ю.В.Наумов и др.) во главе с Т.Б.Станской был проведен цикл исследований, завершившихся созданием и внедрением в производство уникальных передающих ИК-приборов с внутренним фотоэффектом.
Степанов Рудольф Михайлович Главный инженер – заместитель по науке «ЦНИИ «Электрон» (1974-2010 гг.). Главный конструктор МЭП СССР по ИК ФЭП. С помощью его приборов решена крупная научно-техническая проблема для обороны страны в космосе. Доктор технических наук, профессор. Действительный член Академии инженерных наук РФ и Академии Евразии. Автор более 120 научных трудов и изобретений. Лауреат Государственной премии СССР. … В 1969 г. для исследований в ИК-диапазоне во ВНИИ «Электрон» была создана лаборатория во главе с к.т.н. Р.М.Степановым. Ядро лаборатории составили специалисты физического отдела и лаборатории видиконов: В.И.Фомина, В.Л.Македонский, И.В.Антонова-Афанасьева, Я.Я.Венде, Ю.В.Наумов, В.А.Векшин. Начались серьезные работы по созданию принципиально новой технологии полупроводниковой мишени. К работе были подключены ВНИИ телевидения (разработка аппаратуры), ГОИ имени С.И.Вавилова (измерительные методики), ЛОМО (измерительные установки). Работой в целом руководил главный конструктор космической системы академик А.И.Савин. … В развитии направления ИК-приборов активно участвовали В.Г.Иванов, Л.Н.Блинов, С.К.Новоселов, В.И.Склизков, Г.А.Агранов. Были созданы уникальные приборы, образцы которых испытывались в экспериментальных и научных системах. В 1973 г. созданы первые в СССР экспериментальные образцы матричных ИК ТТФЭП с Х-У-адресацией и с кадровым накоплением на основе германия с примесной фотопроводимостью, чувствительных в ИК-диапазоне. Активно участвовали в развитии технологии твердотельных приборов И.Н.Петров, Б.Д.Дворников, А.В.Белов, Е.Е.Левина, И.И.Шипилова, Г.А.Кузьмин, И.Н.Далиненко, а также группа под руководством П.Л.Соколовой. В 1976 г. впервые в СССР был создан матричный ИК-фотоприемник с кадровым накоплением сигнала с числом элементов 128 x 128 на основе германия, компенсированного медью. В 1978 г. закончена разработка ИК ФПУ с числом элементов 128x128 с Х-У-адресацией. В матрице на основе сплошной монокристаллической пластины германия n-типа время передачи кадра было доведено до 1 с.
Котов Борис Александрович Создатель направления ФППЗ и систем их автоматического проектирования с аналого-цифровой обработкой изображений. Доктор физико-математических наук. Автор более 50 научных работ. … В эти же годы разработан базовый модуль угловых измерений на линейном фоточувствительном приборе ФППЗ-8Л с числом отсчетов 32500 и с погрешностью не более 0,2 мкм (разработчики – В.А.Арутюнов, Н.Г.Богатыренко, А.Е.Прокофьев, Е.Ю.Илисавская, А.Ш.Кучеров, Н.В.Горчакова, Л.И.Исакова). В 2000 г. завершена разработка 18-миллиметрового кинескопа прямого видения 2ЛК3Б с полностью электростатическим управлением и экспериментального микроВКУ на его основе (М.И.Сосновик, А.С.Маркизов, Т.П.Заводова, Л.Ю.Лазовский, В.Н.Григорьев, Ю.Ф.Федотенков).
Руководящий состав разных поколений: в нижнем ряду – А.П.Буевич, В.А.Фролов, Ю.С.Сергеев, Г.С.Вильдгрубе, И.С.Васильев, В.В.Крылов; в верхнем ряду – А.Н.Писаревский, А.А.Репников, И.Н.Суриков, Р.М.Степанов, С.С.Татаурщиков, В.И.Лукьянович О РАЗВИТИИ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ОАО «СВЕТЛАНА»А.С.Ванслов, И.К.Евлампиев, М.Л.Ефремов, В.И.Матвеев Необходимость соблюдения высоких требований к быстродействию, надежности и массогабаритным характеристикам импульсных тиристоров потребовала проведения комплекса исследований и разработки специальных материалов, технологических процессов, а также разработки и изготовления комплекса испытательного оборудования для измерения микросекундных интервалов времени при токах в десятки и сотни ампер и подтверждения надежности создаваемых приборов. Масштаб работ был значительно увеличен – с 1977 г. они проводились в ОКБ МГП уже в рамках отделения полупроводниковых модуляторных приборов, которое возглавил талантливый инженер и организатор В.А.Фогель.
В.А.Фогель Успехи в создании приборов нового класса были достигнуты благодаря упорной творческой деятельности Р.Н.Гордеева, Г.С.Комаишко, Т.А.Поповой, А.Д.Зайцева, Г.И.Цвилева, М.Л.Ефремова, Н.Н.Михновца, Н.Н.Нечаевой, В.И.Вансловой, В.В.Караваева, Н.Ф.Зитта, А.Г.Зубанова, Е.Ю.Марьяненко и др.
М.Л.Ефремов В рекордные сроки был организован цех по серийному выпуску тиристоров и диодов, который возглавил Н.А.Куликов. Наибольший вклад в организацию цеха и серийный выпуск продукции внесли С.В.Терентьев, В.А.Силин, И.С.Корплякова, Н.П.Корлякова. Результатом проведенных НИОКР стали разработка и освоение в производстве более двух десятков импульсных тиристоров и диодов на напряжение до 2 кВ и импульсные токи от 100 А до 1200 А. Приборы не уступали зарубежным изделиям этого класса, а по параметру «скорость нарастания импульсного тока» превосходили их. Разработанные и освоенные в серийном производстве приборы нашли применение в различных областях техники. В 1974 г. для первой отечественной системы спутниковой радионавигации был разработан импульсный тиристор КУ229 на напряжение 1000 В, импульсный ток до 100 А со скоростью нарастания тока более 500 А/мкс, который впоследствии широко применялся в радиолокационных станциях. Для первого поколения полупроводниковых телевизионных приемников цветного изображения в 1975 г. был разработан комплект приборов для блока строчной развертки в составе импульсного тиристора КУ221 и импульсного диода КД411 на напряжение 700 В, импульсный ток до 100 А и частоту переключения до 16 кГц, нашедших также применение в радиолокационной технике. В 1976 г. для нового поколения телефонных станций были созданы малогабаритные импульсные тиристоры КУ111 и импульсные диоды КД 416 на напряжение 400 В и импульсный ток до 15 А. Для накачки инжекционных полупроводниковых лазеров в системах оптической локации в 1980 г. был разработан импульсный тиристор КУ220 на напряжение 1000 В, импульсный ток до 100А со скоростью нарастания тока до 2700 А/мкс, что на тот момент стало мировым рекордом для приборов тиристорного типа. Для аналогичных целей были разработаны импульсные тиристоры КУ704 и КУ218. В те же годы был разработан тиристор КУ215 на напряжение 1000 В и импульсный ток до 250 А со скоростью нарастания до 1000 А/мкс для передвижных радиолокационных комплексов. За разработку и внедрение в аппаратуру серии импульсных быстродействующих тиристоров специалисты двух предприятий в 1986 г. были удостоены Государственной премии СССР в области науки и техники: И.В.Грехов, А.В.Горбатюк, А.Ф.Кардо-Сысоев, Л.С.Костина, Н.С.Яковчук, С.В.Шендерей, С.В.Коротков (ФТИ им. А.Ф.Иоффе), В.А.Фогель, М.Л.Ефремов (ЛОЭП «Светлана»). В начале 1990-х гг. ЛОЭП «Светлана» приступило к разработке импульсных тиристоров с полевым управлением, импульсных тиристоров на основе широкозонных материалов AIIIBV и ключевых полупроводниковых приборов на новых принципах коммутации. В ходе этих работ были созданы опытные образцы тиристоров со «статической индукцией» на напряжение 600 В, ток до 100 А с временем переключения до 50 нс, а также приборы на основе GaAs с рабочими температурами до 170 °С. В тот же период на основе приоритетных исследований ФТИ им. А.Ф.Иоффе были созданы опытные образцы реверсивно-включаемых динисторов (РВД) на напряжение 1000 В, ток до 15 кА и скорость нарастания тока до 5 кА/мкс, а также дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) на напряжение до 2 кВ с временем переключения 10-50 нс. Кризис 1990-х гг. привел к тому, что разработки и производство быстродействующих тиристоров и диодов на «Светлане» были прекращены. Часть научно-технического задела «Светланы» была использована в малом предприятии «Импульсные системы», созданном на территории «Светланы» по инициативе сотрудников ФТИ им. А.Ф.Иоффе А.Ф.Кардо-Сысоева и М.Г.Толстоброва. ООО «Импульсные системы», возглавляемое директором М.Г.Толстобровым, осуществляет выпуск 8 типов приборов для РЭА широкого применения и специального назначения. На этом предприятии успешно трудятся бывшие «светлановцы» Н.Н.Нечаева, В.И.Ванслова, Е.Ю.Марьяненко, А.Г.Зубанов и другие. ВКЛАД ОАО «ОКБ-ПЛАНЕТА» В СОЗДАНИЕ И РАЗВИТИЕ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИВ.Б.Смолкин, А.В.Петров 1. Становление На основании Постановления Ленсовнархоза № 111-24 от 17 апреля 1961 г. было организовано Особое конструкторское бюро (ОКБ) при Новгородском заводе полупроводниковых триодов. Начальником ОКБ был назначен бывший начальник ОКБ Ленинградского завода рентгеновских трубок Евгений Александрович Маторный, опытный организатор промышленного производства, который руководил предприятием с 1961 по 1968 гг.
Е.А.Маторный Коллектив ОКБ был призван совершенствовать технологию производства транзисторов, доводить уровень параметров до требований заказчика – Министерства обороны, разрабатывать и внедрять в производство новые полупроводниковые приборы, оказывать техническую помощь заводу в освоении новых технологических процессов, повышении качества и надежности серийных приборов. Начатые еще на заводе совместные с НИИ-35 (в дальнейшем – НИИПЭ, НИИ «Пульсар») работы по освоению технологии микросплавных транзисторов и сплавных транзисторов в керамическом корпусе типа ТМ2, ТМ3, ТМ5 при участии инженера И.С.Романычева (впоследствии – главного инженера завода, директора одного из НИИ), инженеров Р.К.Соколовой, А.В.Афанасьевой были продолжены в ОКБ. Сплавные транзисторы в керамическом корпусе после существенной доработки технологии и конструкции более 15 лет изготавливались в серийном производстве на заводе для аппаратуры как специального назначения, так и общего применения. Работы по микросплавным транзисторам продолжались еще в течение двух лет в рамках совместной с НИИ-35 ОКР по разработке СВЧ-транзистора с контролируемым процессом двухстороннего струйного электрохимического травления германиевого кристалла (руководитель работ В.И.Разживин – впоследствии главный инженер ОКБ, затем завода и ПО «Планета» (1962-1968). В дальнейшем работы по микросплавной технологии были прекращены как неперспективные.
В.И.Разживин В эти годы из НИИ-35 в Новгород был передан для освоения в производстве сплавно-диффузионный германиевый транзистор П417 (разработчики М.М.Самохвалов и А.А.Чернявский). После длительной доработки технологии специалистами ОКБ и завода этот транзистор изготавливался многие годы, вплоть до середины 1990-х гг. Объемы производства были небольшие, но аппаратура, где он применялся, была ответственной – в системе стыковки космических аппаратов – и заменить его там долгое время конструкторы не соглашались. В 1962 г. в ОКБ были выполнены первые работы по технической помощи заводу. Разработаны эффективные методы управления технологическим процессом изготовления транзисторов (руководитель работы А.П.Бенедиктов, позднее ставший главным инженером завода «Микрон» в Зеленограде). Был усовершенствован процесс изготовления транзисторов П13-П16 с целью увеличения выхода годных приборов до 60% (руководитель Р.В.Шмидт). Важным этапом развития ОКБ стало образование в его составе конструкторского отдела. Одной из первых разработок отдела стала поточно-конвейерная линия с микроклиматом для производства сплавных транзисторов производительностью 2,5 млн штук в год (главный конструктор Г.А.Мамаев). В 1963 г. завод был переименован в Новгородский завод полупроводниковых приборов и вместе с ОКБ передан в состав Ленинградского объединения электронного приборостроения «Светлана». В 1964-1965 гг. конструкторским отделом ОКБ были проведены большие работы по механизации производства транзисторов. Комплексно механизированы цех изготовления кристаллов (высвобождено для других работ 40 человек, получена годовая экономия 160 тыс. руб.), цех, выпускающий транзисторы П13-П16 (высвобождено 152 человека, экономия – 305 тыс. руб.), поточно-механизированные линии сборки транзисторов П25-П26 (высвобожден 61 человек, экономия 323 тыс. руб.) и транзисторов П8-П11 (высвобождено 49 человек, экономия 177 тыс. руб.) и т.д. Выполнена разработка серийной технологии транзисторов МП13-МП16 для производства этих приборов на импортном оборудовании эффективностью 568 тыс. руб. (руководитель разработки инженер-конструктор ОКБ В.А.Боровков, впоследствии главный технолог, затем директор завода и ПО «Планета»). Разработана и внедрена в производство серийная технология микромодульных транзисторов ТМ3-3 (руководитель работы инженер ОКБ Р.К.Соколова), позволившая повысить выход годных приборов на 14%. Проведены работы по совершенствованию технологии и конструкции нескольких групп транзисторов с целью доведения их до требований заказчика (руководители работ инженеры ОКБ О.А.Смирнов и А.М.Фавелюкис). Были разработаны методы стабилизации параметров транзисторов, повышена их надежность (Ю.В.Коровин, В.Б.Смолкин), эффективность этой работы составила 698 тыс. руб. в год. ... 2. Новые научно-технические разработки В декабре 1967 г. в ОКБ ставится опытно-конструкторская работа по разработке планарного германиевого транзистора «Патриот-1» совместно с НИИПЭ (главный конструктор ОКР В.Б.Смолкин, ведущие технологи – А.Н.Артемьева, В.К.Фадеев, И.А.Громова, Л.А.Иванова, Л.В.Полонский, Ю.В.Кузьмин). В связи с поставленной в стране задачей перехода производства телевизоров от лампового варианта к полупроводниковому необходимо было разработать транзистор для переключателя телевизионных программ (позднее названия менялись: переключатель каналов, затем – селектор каналов), которые транслировались в то время в метровом диапазоне длин волн. Транзистор получил обозначение ГТ328. Особенностью этого транзистора являлась возможность применения его в схемах с автоматической регулировкой усиления (с «прямой» АРУ). В это время зарубежными фирмами Siemens, Philips, Telefunken выпускались аналогичные по параметрам транзисторы, изготовляемые по мезатехнологии. Сотрудниками НИИПЭ В.Н.Данилиным, А.Л.Филатовым, Л.А.Дубровской В.В.Волцитом, А.А.Чернявским была разработана более передовая, по сравнению с западной, планарная технология изготовления германиевых транзисторов. … Во время проведения ОКР был полностью перестроен опытный цех ОКБ (руководители работ – начальник опытного цеха В.В.Еременко, энергетик О.В.Федоровский), решены серьезные технические проблемы: получение качественной деионизованной воды, очистка и осушка технологических газов – водорода, кислорода, азота, аргона, очистка применяемых химикатов. Был создан участок для измерения комплекса параметров и проведения испытаний транзисторов (руководитель работ В.А.Уханов). На заводе был создан участок для организации производства транзисторов, названный позднее «Патриот». Инженеры и рабочие участка проходили обучение технологическим операциям в ОКБ. Производство ГТ328 стремительно росло: настойчивость Министерства и действенная помощь по обеспечению оборудованием способствовали быстрому наращиванию объемов производства. По решению МЭП в связи с расширением производства телевизоров технология изготовления транзисторов ГТ 328 была также освоена на заводе «Транзистор» в Минске. Специалисты ОКБ оказывали помощь минчанам в организации производства этих транзисторов. Впоследствии производство ГТ328 было полностью передано на завод «Транзистор». В стране осваивался новый диапазон телевизионного вещания – дециметровый. В связи с этим была поставлена задача разработки транзистора для селектора телевизионных каналов для работы в дециметровом диапазоне длин волн. ОКР под шифром «Путник-1» была выполнена в ОКБ совместно с НИИПЭ в 1969-1970 гг. (главный конструктор ОКР В.Б.Смолкин, руководитель работ от НИИ – В.Н.Данилин). В ходе ОКР некоторые конструктивные элементы и технологические процессы изготовления транзистора были признаны изобретениями. Транзистор получил обозначение ГТ346.
Главным инженером ОКБ при НЗЛК (ОАО «ОКБ-Планета») в 1987-1993 гг. был В.Б.Смолкин.
В последующие годы ОКБ продолжало работы по совершенствованию технологии, повышению процента выхода годных транзисторов, снижению себестоимости транзисторов. Конструкторы разработали ряд единиц технологического, измерительного и испытательного оборудования (разработчики Г.В.Вихров, А.В.Холкин, И.В.Васильев, З.М.Лерман, Г.В.Вахренев).
Начальником, генеральным директором ОКБ при НЗЛК (ОАО «ОКБ-Планета») в 1987-1994 гг. был З.М.Лерман. ОАО «БОЛХОВСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ» – ПРИОРИТЕТЫ РАЗВИТИЯВ.Н.Поярков 2 июля 1968 г. по приказу Министерства электронной промышленности СССР в г. Болхов Орловской области был организован филиал при НИИ ППС, в 1972 г. переименованный в филиал завода при НИИ «Сапфир». Это была экспериментальная площадка, где оттачивалось серийное производство научных разработок инженеров НИИ «Сапфир», отрабатывались конструкторские и технологические элементы полупроводниковых приборов. Часть приборов поступала в массовое производство в республиках СССР: на Украине, в Белоруссии, Узбекистане, Армении и т.д. В 1979 г. филиал завода при НИИ «Сапфир» переименован в Болховский при НИИ «Сапфир». В 1981 г. предприятие получило статус Болховского завода полупроводниковых приборов ПО «Протон». В 1992 г. образовано ОАО «БЭТА», которое функционировало до 1999 г. Области применения электронных приборов – военные технологии, современные системы ПВО, авиационная и космическая промышленность. Специальное конструкторско-технологическое бюро под руководством главного конструктора О.Н.Кшенского действует с 2005 г. За короткий срок удалось заново восстановить исходную техническую документацию и технологическую цепочку производства ряда полупроводниковых приборов. Почти пять лет, до 2005 г., развитие конструкторской идеи на предприятии застыло на нулевой отметке. Выпускался всего один прибор. И лишь со сменой руководства изменился подход к организации работы конструкторско-технологического бюро.
Поярков Вячеслав Николаевич Генеральный директор ОАО «БЗПП» с 2005 г. Специалист в области электроники, инженер-конструктор, технолог радиоаппаратуры. Окончил Орловский государственный университет (1975 г.), МИРЭА (1983 г.), аспирантуру Воронежского государственного университета (2002 г.). Кандидат технических наук. Работал инженером, начальником центральной лаборатории измерительной техники на Болховском филиале при НИИ ППС «Сапфир», старшим инженером, начальником отдела внешней комплектации на заводах «Диффузант» и «Научприбор», г. Орел. С 1982 по 2000 гг. – в БЗПП: главный метролог, главный инженер, заместитель генерального директора по разработке перспективных изделий. При его участии разработана сборка полупроводникового диода на базе капиллярного эффекта. Автор 5 научных работ, имеет авторское свидетельство на изобретение. С 2000 г. работал и.о. главного инженера ОАО НПП «Сапфир», заместителем главного инженера по техническим вопросам ГУП «Московский завод по модернизации и строительству вагонов им. Войтовича», начальником отдела организации производства ОАО «ПФГ Росвагонмаш» РЖД. С 2003 по 2004 гг. преподавал в Московском институте радиотехники, электроники и автоматики. Награжден медалью «70 лет Орловской области».
Под руководством В.Н.Пояркова создана блестящая команда единомышленников: исполнительный директор А.Ф.Чижиков, главный инженер А.А.Пучков, руководитель специального конструкторского технологического бюро О.Н.Кшенский, заместитель генерального директора по машиностроительному производству С.В.Мосин, заместитель генерального директора по безопасности – начальник РСП Г.В.Диконов, заместитель генерального директора по общим вопросам А.Г.Беликов, заместитель генерального директора по сельскому хозяйству – начальник цеха № 11 И.Л.Зубков, заместитель главного инженера по полупроводниковым приборам С.Н.Жучков, главный энергетик Е.В.Блинчиков, помощник генерального директора В.Т.Тихонов, начальник технического отдела М.Н.Дражникова, начальник конструкторского бюро В.В.Чернухин, инженер-конструктор А.В.Рогозильников, начальник цеха № 1 И.Ф.Гладких, заместитель генерального директора по качеству – начальник ОТК А.Н.Торубарова, главный технолог И.Ю.Тахтаев, О.Н.Отовчиц – начальник ПДО, начальник отдела кадров Л.В.Мамаева, секретарь-референт С.В.Матюхина и многие другие.
Руководство предприятия. Стоят (слева направо): Г.В.Диконов – заместитель генерального директора по безопасности – начальник РСП, И.Л.Зубков – заместитель генерального директора по сельскому хозяйству – начальник цеха № 11, С.В.Мосин – заместитель генерального директора по машиностроительному производству, А.Ф.Чижиков – исполнительный директор, В.Н.Поярков – генеральный директор, А.В.Грядунов – заместитель генерального директора по коммерческим вопросам, А.А.Пучков – главный инженер; сидят (слева направо): Т.Н.Вольнова – заместитель генерального директора по финансам, Т.С.Варламьева – главный бухгалтер, В.П.Леонова – заместитель генерального директора
Производство полупроводниковых приборов. Слева направо: Л.А.Катыкина – начальник технического бюро цеха № 1, С.Н.Колганова – заместитель генерального директора по сбыту, И.Ф.Гладких – начальник цеха № 1, А.Н.Торубарова – заместитель генерального директора по качеству, начальник ОТК, О.Н.Кшенский – главный конструктор СКТБ, М.Н.Дражникова – начальник ТО, А.А.Пучков – главный инженер
Второе основное, немаловажное для предприятия направление деятельности – машиностроительное производство, возглавляемое заместителем генерального директора по машиностроительному производству С.В.Мосиным. Машиностроительное производство представляют (слева направо): В.В.Отовчиц – начальник цеха № 8, С.В.Мосин – заместитель генерального директора по машиностроительному производству, А.А.Чеботарев – заместитель начальника цеха № 7, Л.С.Шапошников – заместитель начальника цеха № 8, Б.С.Булгаков – заместитель начальника цеха № 8, А.А.Молчанов – заместитель главного инженера по машиностроительному производству
БЗПП - «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»: ЛЮДИ, ГОДЫ, ПРИБОРЫВ.Ф.Гребенщиков
Директора БЗПП – ЗАО «Группа Кремний ЭЛ». 21 апреля 2010 г. Слева направо: О.Н.Данцев (с 1997 г.), В.Ф.Гребенщиков (1980-1987 гг.), И.Я.Поручиков (1962-1980 гг.), И.П.Тимохин (1987-1993 гг.) … 21 апреля 1961 г. рождено опытно-конструкторское бюро завода, роль которого как центра научно-технической мысли невозможно переоценить. Первый начальник ОКБ – В.Г.Сидоров. Созданное для оказания технической помощи основному производству, оно выросло в серьезный центр разработки самых современных ИЭТ, который обеспечивал перспективу развития предприятия и находил решения самых сложных проблем, возникающих в цехах. В 1964 г. на заводе работало уже 2689 человек. Основная продукция – маломощные сплавные транзисторы типа МП13-42Б, МП20-21, МП25-26, но уже принято решение о прекращении производства диодов, готовится освоение изделий повышенного качества (ОС). Издан приказ о выпуске товаров народного потребления. С этой целью при ОКБ создана инициативная конструкторская группа во главе с В.Ф.Костиковым. Внедряются новые технологические процессы и оборудование, активно работают рационализаторы, лучшие среди них – В.И.Майоров, В.В.Даничев, В.П.Ефимов, В.Х.Лифанов. Успехи завода были замечены, и 9-14 июня 1964 г. на заводе состоялась конференция по обмену опытом между предприятиями полупроводниковой отрасли промышленности РСФСР. … В этом же году введено в эксплуатацию 2160 м2 производственных площадей. Продолжалось строительство корпуса № 4, осваивались площади механического пролета корпуса № 4, где разместились цеха № 4 и № 7, штамповочный участок цеха № 6, парк оборудования увеличился на 530 единиц. Произведена полная реконструкция сборочных цехов и 18 технологических линеек. В январе создана лаборатория применения и надежности, в феврале цех № 3 разделен на два цеха: № 3 и № 5. Начальником цеха № 3 назначен М.В.Бойков, затем – В.М.Красиков, начальником цеха № 5 – И.А.Плюснин. В марте создано бюро подготовки кадров. В апреле создан ремонтно-строительный цех, в июне – отдел главного конструктора (начальником назначен Г.М.Гориводский), бюро технической эстетики и электронно-вакуумной гигиены, в ноябре – ОКиК, в декабре – отдел нормализации и стандартизации. … Именно специалистами ОКБ вместе с руководством завода определялась и формировалась, а потом и реализовывалась перспектива технического развития завода. Именно ОКБ было поставщиком квалифицированных кадров на руководящие должности: это О.Н.Данцев – генеральный директор «Кремния», М.М.Михайлюк, Б.Д.Лазарчук, В.Т.Половенко, Ю.Е.Хочинов, В.И.Громов, А.А.Рославицкий, Ю.А.Комаров. Начальниками ОКБ были последовательно В.Г.Сидоров, Ф.И.Колпаков, В.Н.Кулешов, М.Д.Маслов, Б.Д.Лазарчук, В.Т.Половенко, В.И.Громов. Этапными для ОКБ и завода была разработка ИМС по теме «Магистраль» (1979-1980 гг.), а затем и освоение ее в серийном производстве. Главным конструктором был И.Я.Поручиков, разработчик и руководитель технических работ В.И.Громов, активное участие принимали О.Н.Данцев, Ю.Е.Хочинов, В.П.Лимов, В.А.Смирнов. … Время четче высветило роль каждого из директоров, их заместителей, главных специалистов, начальников цехов в жизни коллектива. Ветераны вспоминали безвременно ушедших из жизни: В.Х.Лифанова, много лет несшего на своих плечах тяжкую ношу рутинной работы массового производства; Ю.Е.Хочинова, прекрасного специалиста и тонкого дипломата, умевшего совместить несовместимое, найти решение сложной и технической, и кадровой проблемы; председателей профкома В.К.Лебедева и И.Г.Азаренка; старших представителей заказчика полковников В.А.Венкова и А.И.Ященко, начальника ПДО В.А.Ноженькина; пользовавшихся большим авторитетом заместителей директора В.Р.Несмеянова, Л.Д.Ястребова, генератора идей В.П.Рыженкова. Заводчане добром вспоминают также ушедших из жизни в последующие после юбилея годы начальника цеха № 1, главного диспетчера предприятия Л.И.Артемова, начальника цехов №№ 12, 2, 11, ОТК В.В.Жеребцова. Яркий след своей одержимостью работой оставил главный технолог, а потом начальник ОКБ Б.Д.Лазарчук, ушедший в бизнес. Неоценим вклад в историю предприятия нынешней команды руководителей во главе с генеральным директором О.Н.Данцевым: Е.М.Жарковского, финансового директора, В.Н.Букина, директора по энергетике и закупкам, А.И.Маевского, директора по маркетингу, В.И.Громова, директора по развитию, Ю.Н.Севастьянова, руководителя кристального производства, А.А.Рославицкого, более 10 лет возглавляющего сборочное производство, а также многих других работников завода.
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ОАО «НИИМЭ И МИКРОН»М.И.Лукасевич, О.И.Бочкин 4. Разработка ИС на арсениде галлия (GaAs) Разработкой приборов на сложных полупроводниковых соединениях в НИИМЭ начали заниматься в 1965 г., работы возглавил к.ф.-м.н. Ю.И.Пашинцев. Именно под его руководством были заложены основы создания СВЧ-диодов Ганна на арсениде галлия, а также поставлены физические исследования исходного материала, позволившие решить научную задачу по созданию на арсениде галлия логических интегральных схем. Из коллектива, возглавляемого Ю.И.Пашинцевым, вышла блестящая плеяда исследователей и разработчиков, кандидатов и докторов наук, будущих профессоров. В их числе – к.ф.-м.н. Л.А.Ангелова, кандидаты технических наук А.В.Волосов, С.Г.Зыбин, А.И.Хлыбов, В.Ф.Чугунов, доктора технических наук Ю.Ф.Адамов, А.В.Емельянов, Л.Н.Кравченко, П.В.Панасенко. Криогенная станция, располагавшаяся в энергокорпусе НИИМЭ и работающая в замкнутом цикле по гелию, позволяла получать сверхнизкие температуры охлаждения практически до абсолютного нуля (0,5-1 °К). Это позволило группе физиков (В.Н.Гритченко, В.Н.Ярыгину, Л.А.Ангеловой) провести первые исследования сложных полупроводниковых материалов, используемых при создании ИС. … В 1968-1969 гг. в НИИМЭ впервые в стране Л.Н.Кравченко и П.В.Панасенко была разработана планарная технология изготовления приборов на арсениде галлия, а в 1969-1972 гг. авторским коллективом в составе Ю.И.Пашинцева, Л.Н.Кравченко, А.А.Орликовского (сотрудника МИЭТ, ныне академика РАН) и П.В.Панасенко были получены первые отечественные логические и функциональные приборы на основе арсенида галлия в гигагерцевом диапазоне. В 1978 г. изготавливается 4-разрядный счетчик импульсов с гигагерцевой входной частотой и экспериментально продемонстрирована его способность. Для сравнения: в том же году лучшим зарубежным достижением считался сверхскоростной счетчик на арсениде галлия, созданный фирмой Hewkett Packard с такой же тактовой частотой, но только на три разряда. Созданное в НИИМЭ новое направление решало задачу создания отечественной сверхскоростной элементной базы. В 1978-1984 гг. коллективом разработчиков в составе Ю.Ф.Адамова, С.Г.Зыбина А.Г.Кожина и А.И.Хлыбова была разработана и сдана генеральному заказчику (с приемкой «5») первая отечественная серия логических сверхскоростных ИС (серия 6500) и начато их серийное производство. Разработанная в НИИМЭ технология ИС на арсениде галлия позволила П.В.Панасенко, перешедшему в НИИМП с группой сотрудников НИИМЭ, создать функционально полный набор СВЧ ИС (малошумящие усилители, фазовращатели, усилители мощности, СВЧ-коммутаторы) для активных фазированных антенных решеток. … В начале 1980-х гг., по мере усложнения СВЧ ИС, эпитаксиальные структуры арсенида галлия завода «Элма» (г. Москва) перестали удовлетворять требованиям. В НИИМЭ разрабатывается технология изготовления структур арсенида галлия методом ионного легирования пластин. Были созданы установки формирования низкотемпературных защитных и маскирующих слоев Si02 и Si3N4 и выполнения процессов «сухого» травления полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев на пластинах арсенида галлия. Эти работы проводились под руководством А.В.Волосова, Н.И.Григорьева и В.К.Селецкого. С 1981 г. начинается этап разработки больших ИС на арсениде галлия и уже к началу 1982 г. коллективом разработчиков в составе А.Н.Сапельникова, А.И.Хлебова и сотрудников МИЭТ В.И.Старосельского и В.И.Суэтинова была разработана топология первой отечественной БИС на арсениде галлия – ОЗУ с произвольной емкостью 1 Кбит. Одновременно в это же время большой группой технологов во главе с Н.И.Григорьевым, Н.В.Русаковым, Г.А.Сторожуком проводилась разработка новых технологических процессов изготовления БИС на арсениде галлия. В начале 1985 г. были изготовлены и исследованы образцы БИС ОЗУ емкостью 1 Кбит в двух схемотехнических вариантах (256 х 4 и 1024 х 1) – первые БИС на арсениде галлия в СССР, в дальнейшем включенные в состав серии 6500. В 1986-1987 гг. под руководством Ю.Ф.Адамова было осуществлено схемотехническое и топологическое проектирование БИС ОЗУ на 4 Кбит, и уже в 1988 г. были изготовлены первые образцы. В последующие годы были проведены исследования элементной базы и технологических процессов для изготовления БИС ОЗУ16 и 64 Кбит. В 1984 г. начинаются работы по созданию базовых матричных кристаллов (БМК) на арсениде галлия, в 1985 г. были изготовлены первые образцы БМК-300 на 300 эквивалентных вентилей. Основными разработчиками данного класса ИС являлись А.Н.Сапельников. А.Н.Соляков и В.Н.Пархоменко. … По решению Совета Министров СССР и ВПК в 1970 г. НИИМЭ приступает к разработке серий 100, 500 и 700 сверхбыстродействующих ИС ЭСЛ-типа (2 нсек/вент) для суперЭВМ «Эльбрус», «Эльбрус-1» и управляемых реактивных комплексов, предназначенных для системы ПВО страны. Заказчик ИТМиВТ настаивал на воспроизведении зарубежного аналога ИС ЭСЛ фирмы «Motorola» серии МС10000, изготавливаемой по самой передовой зарубежной технологии. Специалисты НИИМЭ убедили руководство МЭП в том, что в состоянии делать ИС лучшими с параметрами, чем у зарубежных аналогов. Задание на разработку серии ИС этого типа было поручено четырем организациям – разработчикам микросхем, расположенных в г.г. Минск, Ленинград, Вильнюс и Зеленоград. Головной организацией являлся НИИМЭ. Разработка технологии изготовления ИС ЭСЛ была поручена отделу, возглавляемому Н.М.Лукановым. Топологию решили заимствовать у зарубежного аналога ИС ЭСЛ фирмы «Motorola» [9]. Разработка этого типа микросхем потребовала создания новой технологии, обеспечивающей значительное повышение степени интеграции и быстродействия. Она включала, наряду с созданием мелких и тонких областей транзистора и эпитаксиальных структур (Е.С.Любимов, Н.М.Луканов), разработку изопланарной технологии изоляции (Е.С.Любимов, В.Н.Дягилев), многоуровневой металлизации (А.С.Валеев, В.А.Хрусталев), развитие плазмохимической обработки пластин (О.П.Гущин, А.Д.Сулимин), совершенствование фотолитографии с целью снижения проектных норм (В.В.Мартынов, Г.А.Сторожук).
НИИМП-ЭЛАС: ИСТОКИ И ЭВОЛЮЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННОГО КОСМИЧЕСКОГО МИКРОЭЛЕКТРОННОГО АППАРАТОСТРОЕНИЯГ.Я.Гуськов Первой малой земной станцией спутниковой связи, перевозимой в упаковках, была станция «Сургут» (начало эксплуатации – 1973 г.). Работы по созданию этой станции, приуроченные к предстоящей поездке Л.И.Брежнева в США, проводились в сжатые сроки практически круглосуточно. Результаты превзошли все ожидания, и было принято решение о создании специальной системы правительственной спутниковой связи. В короткие сроки было разработано и внедрено в серийное производство и штатную эксплуатацию семейство станций спутниковой связи: самолетные станции «Сургут-С» (1975 г.) и «Сургут-Т» (1976 г.), автомобильная станция «Сургут-А» (1977 г.), поездная станция «Сургут-В» (1977 г.), модернизированная, перевозимая в упаковках станция «Сургут-П» (1980 г.), корабельная станция «Сургут-ПК» (1981 г.) и центральная станция «Сургут-Ц» (1982 г.). Станции семейства «Сургут» обеспечивают дуплексную телефонно-телеграфную связь, причем не только на остановках, но и в движении. Основная элементная база – отечественные бескорпусные мощные и мало-шумящие транзисторы и pin-диоды, микросборки СВЧ с использованием поликора и ситалла. На станциях семейства «Сургут» впервые в мировой практике применены полупроводниковые активные фазированные антенные решетки (АФАР) с электронным управлением диаграммой направленности, осуществляемым с помощью специализированных вычислительных средств. Основополагающие идеи использования АФАР на станциях «Сургут» были предложены Е.Н.Егоровым. Ключевую роль в создании станций «Сургут» сыграли С.Н.Николаенко, К.К.Салгус, А.А.Захаров, И.Н.Варфоломеев, а также (на начальной стадии работ) Н.В.Четыркин и В.Д.Платонов. Большой вклад в разработку основных устройств и отладку станций внесли В.Ф.Шпилев, Ю.И.Хренов, С.Д.Дмитриев, А.М.Ларионов, И.С.Фадеев, В.Н.Жданов, В.Г.Гончаров, О.А.Колеников, Б.А.Панасенко, Л.К.Жохов, Г.Н.Гулякович и др. Опыт разработки и эксплуатации станций «Сургут», работавших через спутник «Молния-1» в дециметровом диапазоне волн, показал, что возможно создание нового поколения станций со значительно меньшими массогабаритными характеристиками в более высоком (сантиметровом) диапазоне волн. Для реализации этой возможности в начале 1980-х гг. был создан геостационарный спутник связи, оснащенный специализированным ретранслятором С-диапазона частот с узкими высокоэнергетическими лучами, рассчитанными на работу с малыми абонентскими станциями. На его основе в 1980-х гг. была построена система спутниковой дуплексной телефонно-телеграфной связи специального назначения. Для обеспечения многостанционного доступа на спутнике впервые в мировой практике применена многолучевая космическая АФАР со специальным пространственно-временным сканированием лучами. Абонентские земные станции по массогабаритным характеристикам на момент разработки превосходили зарубежные аналоги (масса носимой станции составляла всего лишь 12 кг). Значительный вклад в создание специализированной системы спутниковой связи С-диапазона внесли С.Н.Николаенко, Е.Н.Егоров, И.С.Фадеев, В.Г.Гончаров, Г.В.Сбитнев, В.В.Лихтенвальд, А.А.Захаров, И.Н.Варфоломеев, а также А.В.Кашлин, Г.Я.Сахнова, Г.Д.Стах, Ю.И.Хренов, В.К.Кондратьев, С.Д.Дмитриев, В.П.Мартынова, Л.В.Богомолов и др. … В создание первого поколения космических оптико-электронных средств дистанционного зондирования Земли (ДЗЗ) наиболее значительный вклад внесли Н.М.Синодкин, С.Н.Николаенко, И.С.Фадеев, А.А.Газаров, Г.А.Блинов, В.И.Карасев, В.И.Сафонов, К.А.Татаринов, В.Т.Панасенко, Б.Н.Зуев, а также К.Ш.Еникеева, В.В.Колотков, Л.В.Гуторов, А.Ф.Мишунин, Ю.Ф.Алексеев, В.М.Басманов и др. В создании сложнейшего программного обеспечения нельзя не отметить роль В.Н.Лошакова, В.В.Ворожейкина, А.В.Галицкого. На начальной стадии разработок активное участие в работах принимали Б.И.Седунов, П.Н.Возьмилов, А.В.Репин, Е.М.Тверской, перешедшие затем на другие предприятия. Апробированные в начале 1980-х гг. принципы построения оптико-электронных систем ДЗЗ и базовые аппаратные средства нашли широкое применение в Межведомственной программе космических исследований с использованием КА «Алмаз» и при создании новых поколений систем ДЗЗ специального и народнохозяйственного назначения. Большой вклад в эти работы внесли Н.М.Синодкин, А.И.Коекин, В.Н.Росяев, Б.А.Михайлов, а также В.И.Карасев, Т.В.Кондранин, А.В.Ельцов, В.О.Прасолов и др.
ОАО «ИТТиП» – ПИОНЕР ОТЕЧЕСТВЕННОГО МИКРОПРОЦЕССОРОСТРОЕНИЯБ.М.Малашевич 4. Кооперация Руководство зеленоградского Научного центра микроэлектроники (НЦ) и Минэлектронпрома также живо интересовалось проблемой создания отечественных микропроцессоров. Когда идеология создания микропроцессорных БИС была определена, проработаны архитектура и схемотехника БИС, проведено их моделирование и выполнено множество других работ, наступил момент, требующий подключения специалистов, которых в СВЦ не было: топологов, технологов, разработчиков контрольно-измерительного и технологического оборудования и т.п. С этой целью руководством НЦ в 1974 г. была создана рабочая группа из ведущих специалистов предприятий Зеленограда, которая подключилась к работам, выполняемым в СВЦ. В состав группы входили: • председатель – главный инженер НЦ А.А.Васенков; • от СВЦ – П.В.Нестеров, Ю.Е.Чичерин, В.Л.Дшхунян, Н.М.Воробьев, В.А.Меркулов, Б.М.Малашевич, Ю.М.Петров; • от НИИТТ – В.С.Баранов, Э.Е.Иванов, Е.И.Кузнецов, Г.В.Колобков, Л.К.Минкин, Л.М.Можаров, Ю.А.Платонов, В.И.Рыженков, В.О.Филиппенко; • от НИИМЭ – В.Я.Контарев, В.М.Гусаков, А.И.Березенко, В.В.Трушин, Б.В.Орлов; • от НИИТМ – Л.А.Богородицкий, Л.М.Попель; • от ДНЦ – Ю.В.Терехов, В.П.Козидубов, В.А.Кундин, В.И.Трифонов. Рабочая группа еженедельно собиралась под председательством А.А.Васенкова и решала все возникающие проблемы. Ходом работ в этом направлении постоянно интересовались руководители всех предприятий, понимая значимость проблемы и помогая осуществлению намеченных планов. Особенно следует отметить Д.И.Юдицкого, под руководством которого была разработана идеология построения микропроцессоров и микроЭВМ будущей серии «Электроника НЦ-0х». Роль представителей СВЦ в рабочей группе была определяющей в части разработки архитектуры микропроцессоров, т.к. только они по своей профессии, опыту работы и имеющемуся заделу были наиболее подготовленными специалистами в этой области. Естественно, что в части конструкции, топологии и технологии производства БИС определяющая роль была у специалистов НИИТТ и НИИМЭ. Рабочая группа подтвердила решение о разработке оригинальной архитектуры, об отказе от повторения зарубежных аналогов (попытки некоторых членов рабочей группы предложить аналоги для повторения провалились – достойных аналогов не нашлось, за рубежом микропроцессоров было еще очень мало) и одобрила предложенные СВЦ основные требования и принципы построения микропроцессорных комплектов ИС, обеспечивающих возможность построения на их основе разнообразных микроЭВМ и микросистем. К тому времени в НИИТТ и «Ангстреме» произошла переориентация с гибридных ИС на полупроводниковые n-МОП и КМОП ИС. Технологами НИИТТ были разработаны соответствующие технологии. А приказом № 599 от 29.07.1974 г. генерального директора НЦ А.В.Пивоварова на заводе «Ангстрем» был образован самостоятельный цех по изготовлению КМОП ИС мощностью в 0,5 млн микросхем на 1975 г. Этим же приказом возглавлявший работы по созданию микропроцессоров от НИИТТ Э.Е.Иванов был назначен начальником сектора НИИТТ и зам. директора «Ангстрема». В его руках сосредоточились все вопросы разработки технологии и топологии микропроцессоров и производство КМОП ИС. Как только рабочая группа окончательно определилась с основами архитектуры микропроцессоров, приказом НЦ № 656 от 06.09.1974 г. была открыта комплексная ОКР «Микропроцессор» (главный конструктор – А.А.Васенков) по схемотехническому, технологическому и конструктивному проектированию первого асинхронного микропроцессорного комплекта на основе высокопороговой КМОП-технологии, а также микроЭВМ на его основе. Была определена специализация предприятий и сроки изготовления опытных образцов: • СВЦ (заместитель главного конструктора – Д.И.Юдицкий): - по разработке архитектуры, структуры, программного обеспечения микро- и мини-ЭВМ и схемотехнической разработке БИС АЛУ и ПЛМ – август 1975 г.; - по разработке и изготовлению двух образцов микроЭВМ на основе БИС АЛУ, ПЛМ и ОЗУ – май 1975 г.; • НИИТТ (заместитель главного конструктора – А.К.Катман): - по разработке БИС АЛУ (арифметическо-логического устройства) – май 1975 г.; • НИИМЭ (заместитель главного конструктора – А.Р.Назарьян): - БИС ПЛМ (программируемой логической матрицы) – май 1975 г.; - БИС ОЗУ 256 бит – май 1975 г.; - БИС ПЗУ 1024 бит – декабрь 1975 г. ОКР была объявлена особо важной, оплата труда – аккордной, на это целевым назначением выделялось по 75 тыс. руб. ежеквартально. В СВЦ с 1 сентября 1974 г. (приказ 257) на аккордную оплату были переведены Ю.Е.Чичерин, В.Л.Дшхунян, В.Р.Науменков, Ю.И.Борщенко, В.К.Осипов, В.В.Теленков, С.Н.Спасская и П.Р.Машевич. В дальнейшем этот список в соответствии с ходом работ изменялся. … Имея прекрасный опыт разработки и широкого применения, оригинальных 16-разрядных микропроцессоров серий 1801/1806/1836, но программно-совместимых с PDP-11 ф. DEC, министр поручил проделать это и с VAX-11/750. В связи с этим в 1985 г. НИИТТ приступил к разработке 32-разрядного микропроцессорного комплекта, архитектурно совместимого с ЭВМ VAX-11/750. Работа проходила в рамках темы «Электроника 32» (главный конструктор – В.Л.Дшхунян, заместитель главного конструктора – И.А.Бурмистров и В.Р.Науменков). Микропроцессорный комплект, получивший обозначение как СБИС серии (К)Л1839, является продуктом тесного партнерства двух коллективов НИИТТ. Основными разработчиками были В.Р.Науменков и Е.Н.Максимов (центральный процессор КЛ1839ВМ1), С.А.Шишарин (контроллер динамической памяти КЛ1839ВТ1 и одноплатная 32-разрядная микроЭВМ «Электроника-32» для отладки СБИС комплекта, микропрограммного обеспечения и аттестации СБИС комплекта), С.А.Хромов и С.Б.Любимов (адаптер магистралей КЛ1839ВВ1), Г.Ю.Полушкин, В.Н.Прокопов, А.А.Рыжов (микропрограммное и тестовое обеспечение), А.В.Румянцев (топология) и др. (рис. 14).
Основные разработчики микропроцессорных БИС (К)Л1839: А.В.Румянцев, С.Ю.Лошаков, Г.Ю.Полушкин, С.Е.Любимов; С.А.Хромов, С.А.Шишарин, И.А.Бурмистров, В.И.Прокопов, В.Р.Науменков
Однако в микроэлектронике, особенно на передовых ее рубежах, особую роль играют технологи. Так было и в данном случае. Группой технологов – Ю.И.Сергеенковым, Г.М.Ситниковым, В.В.Гребенщиковым и др. – под руководством В.П.Быкова (рис. 15) впервые на предприятии была создана стабильная 2,5-микронная КМОП-технология на кремниевых пластинах диаметром 100 мм, с двойной металлизацией и «карманом» n-типа, позволившая воплотить объединенный труд схемотехников и топологов в конкретные БИС и СБИС.
Основные технологи серии БИС (К)Л1839: Ю.И.Сергеенков, В.П.Быков, В.В.Гребенщиков, Г.М.Ситников
|
Издательством «Столичная энциклопедия» выпущен в свет и рассылается подписчикам первый том двухтомного издания «История отечественной электроники».
