Столичная энциклопедия

РАЗВИТИЕ ГАЗОРАЗРЯДНЫХ ПРИБОРОВ.

ОАО «НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ГАЗОРАЗРЯДНЫХ ПРИБОРОВ «ПЛАЗМА» и ОАО «НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ «КОНТАКТ»

Г.В.Мельничук

Газоразрядные коммутирующие приборы

Одним из основных направлений деятельности Научно-исследовательского института газоразрядных приборов является разработка и производство импульсных коммутирующих приборов следующих классов: импульсных приборов с водородным наполнением (водородные тиратроны), таситроны, импульсные диоды, приборы с холодным катодом, неуправляемые разрядники (защитные, коммутационные, разрядники-обострители), управляемые разрядники (защитные, коммутационные). К концу 1950-х гг. до создания института в СССР выпускалась серия импульсных водородных тиратронов стеклянной и металлостеклянной конструкции на напряжения от 1 до 35 кВ и токи в импульсе от 10 до 2500 А.

В организации подразделений разработок можно отметить следующие этапы, соответствующие развитию института. Первоначально это были тематические группы, ориентированные по классам приборов. В 1963 г. организуются лаборатории импульсных приборов с водородным наполнением во главе с А.А.Поляковой и разрядников во главе с В.В.Никитиным (с 1967 г. – Ю.В.Киселевым). В 1964 г. создается отдел коммутирующих приборов во глазе с Ю.И.Орловым, а в 1967 г. – отдел импульсных приборов с водородным наполнением во главе с В.И.Титовым (с 1969 г. – Л.М.Тихомировым). В 1970 г. подразделения-разработчики коммутирующих приборов были объединены в один отдел, в состав которого вошли лаборатории импульсных приборов и диодов во главе с А.А.Поляковой, таситронов – во главе с А.И.Гереном (с 1972 г. – В.А.Крестовым), разрядников – во главе с Ю.В.Киселевым (с 1982 г. – Т.Н.Москвичевой). В 1977 г. лаборатории тиратронов и таситронов объединяются в одну – лабораторию разработки приборов с водородным наполнением во главе с В.А.Крестовым. В это же время в отделе организуется лаборатория разработки конструкторской и технологической документации во главе с А.И.Поповой и лаборатория применения во главе с В.В.Никитиным.

Импульсные водородные тиратроны

Первый металлокерамический водородный тиратрон ТГИ1-500/16 был разработан в институте в 1962 г. Одновременно создавались экспериментально экспериментально-технологическая и испытательная базы для разработки металлокерамических приборов, керамики собственного производства, формировался коллектив разработчиков.

Первый тиратрон был вскоре внедрен в производство на Львовском заводе электронных приборов, а уже в 1965-1966 гг. под руководством Н.С.Воднева была проведена его модернизация. Одновременно коллективом в составе С.И.Ларшиной, М.Б.Павлова, Т.В.Петровской, Н.Я.Фофановой разрабатывался тиратрон ТГИ1-270/12.

Значительные работы велись в отделе применения по исследованию свойств тиратронов. И.П.Дмитриев и Б.И.Ненашев разработали схемы и режимы применения тиратронов в импульсно-кодовом режиме, В.П.Свирин и К.С.Гайнутдинов исследовали короткоимпульсные режимы и разработали принципиальные высокоэффективные схемы защиты тиратрона и модулятора от обратного напряжения с помощью импульсного водородного диода или тиратрона.

…

В 1970-е гг. под руководством Л.Н.Мороз разрабатываются тиратроны .для космической техники ТГИ1-50/6, а под руководством А.А.Поляковой – тиратроны для работы в схеме ключевого генератора радиочастот ТГИ1-3000/30 для работы в схеме ключевого генератора радиочастот аппаратуры станций дальней радионавигации.

Затем был разработан первый в СССР тиратрон тетродной конструкции ТГИ3-500/16, который имел лучшие параметры по стабильности запаздывания анодного тока относительно сеточного импульса, уменьшено время готовности прибора.

Бурное развитие лазерной техники затребовало разработки специальных тиратронов. Первый такой прибор ТГИ2-500/20 разработан М.Б.Павловым в 1983 г. Использование этого прибора повысило параметры и долговечность лазеров.

Разработанные в институте тиратроны использовались в средствах ПВО (автономных зенитно-ракетных комплексах), противотанковых ракетных комплексах, в системах управления воздушным движением в районах средних и крупных аэропортов и трассах гражданской авиации, в системах дальней навигации наземного базирования, источниках питания газовых лазеров, в составе аппаратуры импульсного нейтронного каротажа ИНК-8, ИНК-9, предназначенной для исследования нефтяных, газовых и рудных скважин и другого применения.

Таситроны

Попытки создания полностью убавляемого прибора, подобного вакуумной лампе, но имеющего преимущества перед тиратроном по КПД и простоте управления, предпринимались еще в 1930-е гг. Однако только в 1955 г. была теоретически и практически обоснована возможность создания такого прибора, получившего название «таситрон».

В НИИ ГРП разработки таситронов были начаты в 1962 г. под руководством Е.В.Анитовой, Н.Т.Гагина, М.Д.Малева. Первые же исследования процессов возникновения и прекращения разряда, применения мелкоструктурных сеток привели к созданию образцов приборов на напряжения до 10 кВ и токи до 10 А. Дальнейшие исследования физических процессов, проведенные В.М.Гнидо, В.Д.Крестовым, А.И.Тарасовой, Г.В.Хоботовой в тесном содружестве с Рязанским радиотехническим институтом, теоретически и экспериментально обосновали возможность дальнейшего повышения мощности приборов. Однако первый таситрон ТГУ1-10/7 еще не обладал высокой надежностью электрических параметров, но развернутые в 1970-е гг. работы позволили создать серийный ряд таситронов на напряжения от 7 до 25 кВ и средний ток анода до 2 А.

В 1971 г. В.А.Крестовым и А.И.Тарасовой для модуляторов РЛС был разработан первый мощный таситрон ТГУ1-5/12 с жидкостным охлаждением анода и сетки, способный коммутировать среднюю мощность 12 кВт при частоте повторения импульсов 200 кГц. Прибор награжден серебряной медалью ВДНХ, а дальнейшие исследования показали его широкие функциональные возможности. Исследования, проведенные В.А.Крестовым и Л.М.Тихомировым совместно с группой сотрудников Института атомной энергии им. И.В.Курчатова, показали высокую эффективность работы таситрона в «тиратронном» режиме с частотой повторения импульсов 100 кГц и более. В результате было установлено новое направление применения таситронов, в частности, в циклотроне для формирования «белого» пучка нейтронов, а ученым Сибирского отделения АН СССР применение таситрона ТГУ1-5/12 позволило создать лазер на парах меди с частотой повторения импульсов излучения до 235 кГц. В дальнейшем был разработан таситрон ТГУ1-1000/25 на напряжение 25 кВ и ток в импульсе 1000 А для источников питания импульсных лазеров.

Одним из существенных недостатков газоразрядных и вакуумных приборов с накаленным катодом является большое время готовности. Однако в 1973 г. А.И.Барановой, Т.И.Нартовой, Г.Б.Хоботовой для систем гидролокации был разработан таситрон ТГУ1-60/7 с временем готовности всего 30 секунд. Применение таситрона позволило в 5 раз увеличить выходную мощность аппаратуры по сравнению с его конкурентами – полупроводниковыми приборами.

Развитие радиолокационной техники потребовало создания высокочастотного коммутирующего прибора, способного работать на активно-емкостную нагрузку. Лучшим коммутатором для этих целей был разработанный В.Б.Меркуловым и Г.Б.Хоботовой таситрон ТГУ1-27/7, который способен коммутировать импульсную мощность до 200 кВт при частоте повторения импульсов до 30 кГц.

Для управления цветными электронно-лучевыми трубками А.И.Баранов, В.Ф.Гнидо, Т.П.Семенова разработали таситрон ТГУ1-8/15. Это был первый промышленный таситрон комбинированной конструкции, в котором время выключения тока составляет менее 50 нс.

ИСТОРИЯ ПЬЕЗОТЕХНИКИ В РОССИИ (НПО «Фонон», НИИ «Фонон», ОАО «ФОНОН», ОАО «ЛИТ-ФОНОН»)

С.А.Гуз

Кварцевые резонаторы

Разработаны и внедрены в производство прецизионные кварцевые резонаторы для систем «Восток» и «Венера» (Вилен, Шин, Ефремов и др.)

Создана лаборатория кварцевых резонаторов-датчиков физических величин.

Выполнен ряд фундаментальных исследований по развитию теории и проектированию кварцевых резонаторов (авторы – И.С.Жолудев, М.И.Ярославский (руководитель НИО-100 в 1970-1971 гг.), В.Б.Грузиненко (руководитель НИО-100 с 1972 по 1997 гг.), А.Г.Смагин, А.Е.Караульник.

Рис. 1

В.Б.Грузиненко

Рис. 2

А.Е.Караульник

Рис. 3

В.В.Шувалов

Рис. 4

К.Г.Кожемякин

Разработаны специальные приборы для измерений параметров кварцевых резонаторов (авторы – В.В.Шувалов, К.Г.Кожемякин).

Кварцевые генераторы

На базе лаборатории создан отдел разработки технологических приборов под руководством К.Г.Кожемякина и В.В.Шувалова. В 1961-1969 гг. разработан ряд измерительных генераторов серии ГДК. В 1964-1969 гг. под руководством В.В.Шувалова были разработаны теория и методы расчета кварцевых генераторов.

Эти работы создали мощный теоретический и практический задел для разработки и производства унифицированных кварцевых генераторов и измерительных устройств на их основе.

Пьезоэлектрические фильтры

Созданы кварцевые пьезоэлектрические фильтры навесного монтажа (авторы – М.И.Райзман, М.В.Качкачева, И.М.Ларионов, Е.Г.Бронникова.

На основе принципа «захвата энергии» разработаны и освоены в производстве первые промышленные монолитные фильтры (авторы – Е.Г.Бронникова, И.М.Ларионов, В.И.Семин, З.И.Кулибина).

Рис. 5

И.М.Ларионов

Рис. 6

В.И.Семин

Пьезокерамика

В пьезокерамическом производстве институтом был освоен отечественный способ синтеза материалов ЦТС (цирконата титаната свинца). Этот способ был разработан и освоен лабораторией пьезокерамики № 42 в 1960 г. Найденный способ был признан изобретением и защищен авторским свидетельством № 135394 на изобретение СССР («Способ изготовления пьезокерамики системы титанат-цирконат свинца и ее производных») с приоритетом 21 марта 1960 г. (авторы – И.Г.Глозман, Л.З.Русаков, Н.Б.Фельдман, Е.Г.Смажевская).

На основе этого изобретения открылась эра широкого развития пьезокерамической науки и техники в СССР.

НИИ «ГИРИКОНД» и его роль в становлении отечественного конденсаторо- и резисторостроения для РЭА

Б.П.Беленький, Н.И.Горбунов

Начало систематических исследований и разработок нелинейных полупроводниковых резисторов относится к середине 1950-х гг., когда под руководством д.ф.-м.н., проф. Б.Т.Коломийца. Работы в области синтеза полупроводниковых керамических материалов возглавила к.х.н. Е.В.Курлина, а в области самих резисторов – к т.н. (впоследствии д.т.н.) И.Т.Шефтель. На основе проведенных исследований были определены элементы, оксиды которых удовлетворяют требованиям разрабатываемых изделий. Основное внимание было уделено исследованию сложных оксидных соединений, имеющих кристаллическую структуру типа шпинели и позволяющих варьировать свойства терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом в широких пределах, что имеет большое значение для создания терморезисторов с различными параметрами в зависимости от их назначения. Были сформулированы требования к материалам для терморезисторов, и было установлено, что в наибольшей степени эти требования выполняются при использовании двойных и тройных систем окислов марганца, кобальта, никеля и меди. На основе результатов исследований в последующие годы было разработано более 50 типов освоенных в производстве терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Исследования по созданию терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (позисторов) и материалов для них были начаты в 1963 г. в связи с необходимостью получения элементов с повышенной температурной чувствительностью. В основу работ была положена идея использования резкого изменения электронной проводимости материалов в области фазового перехода «параэлектрик-сегнетоэлектрик». Основное внимание было уделено материалам на основе легированного титаната бария и твердых растворов систем титаната бария – титаната стронция, титаната бария – титаната свинца. В результате работ д.т.н. И.Т.Шефтеля, к.т.н. Г.Н.Текстер-Проскуряковой, к.т.н. Б.А.Таллерчика и других специалистов были разработаны и переданы в промышленное производство серии позисторов различного назначения. Разработанные специалистами института научные основы рецептуры позисторной керамики и сегодня лежат в основе разработок позисторов различного назначения с широкими интервалами температур фазового перехода и значений номинального сопротивления. В 1960-е гг. начинаются систематические исследования в области создания еще одного вида нелинейных резисторов: варисторов – приборов с резко нелинейной вольт-амперной характеристикой, что позволяет успешно использовать их в качестве защиты аппаратуры от различного рода перенапряжений. Первые разработки варисторов основывались на применении поликристаллического карбида кремния, последующие исследования показали целесообразность использования в качестве основного варисторного материала окиси цинка. Руководителями направления варисторов в разные годы были д.ф.-м.н. Б.Т.Коломиец, к.т.н. А.Я.Караченцев, к.т.н. Ф.К.Медведев. Разработанные на предприятии серии варисторов были освоены в серийном производстве и до настоящего времени используются в различной аппаратуре, в частности для защиты от грозовых перенапряжений аппаратуры связи и автоблокировки в системе РЖД.

В это же время серьезное развитие получают работы в области еще одного вида нелинейных резисторов – фоторезисторов. Уже первые исследования, проведенные под руководством Б.Т.Коломийца, показали, что высокие фотоэлектрические характеристики могут быть реализованы не только на «элитном» монокристаллическом германии или кремнии, но и на других полупроводниковых материалах. В качестве таких материалов были исследованы, а затем и применены поликристаллические сульфид и селенид кадмия, сульфид и селенид свинца, а также твердые растворы этих материалов. На основе проведенных в 1960-1980-е гг. исследований под руководством лауреатов Государственной премии д.т.н., проф. А.О.Олеска и к.т.н., доц. Л.К.Дийкова была разработана и освоена в производстве широкая номенклатура фоторезисторов, которые в значительной степени определяли в то время технические возможности ряда космических аппаратов и самых современных видов вооружения.

Для постановки в институте работ в области нелинейных полупроводниковых резисторов характерным является то обстоятельство, что разработке основ технологии предшествует детальное изучение свойств применяемых материалов. Исследуются химические и структурные превращения при реализации тех или иных операций, устанавливаются основные закономерности «состав – свойство» и «технологический режим – свойство». В результате для ряда изделий разработаны и подтверждены экспериментально физические модели, позволяющие прогнозировать эффективность изменения технологических режимов и поведение изделий в различных условиях эксплуатации. Разработка и начало промышленного освоения варисторов, имеющих нелинейные вольт-амперные характеристики, приходятся на 1960-е гг. В 1961-1963 гг. были разработаны два типа варисторов: стержневые СН1-1 и дисковые СН1-2.

В середине 1960-х гг. по инициативе Е.А.Гайлиша на базе одного из направлений отдела физических исследований был организован отдел микроэлектроники, который долгое время возглавлял канд. техн. наук (впоследствии докт. техн. наук) Р.П.Сейсян. Оснащенный самым передовым по тем временам технологическим оборудованием, отдел микроэлектроники сумел за короткое время разработать целый ряд изделий, нашедших практическое применение, в т.ч. в разработанных в институте малогабаритных телевизорах и видеомагнитофонах. Некоторые направления микроэлектронных технологий и сегодня продолжают функционировать в институте, что позволяет использовать характерные для микроэлектроники технологические процессы в разработках и производстве новых дискретных электронных компонентов.

Рис. 7

М.Ю.Воловик

С 1970-х гг. в институте на базе керамических конденсаторов формируется и развивается направление керамических помехоподавляющих конденсаторов и фильтров. Возглавлял это направление талантливый инженер М.Ю.Воловик. К научным достижениям этого направления, представляемого его учениками к.т.н. В.Ф.Смирновым, к.т.н. М.Я.Красильщиковым и А.А.Шалаевой, следует отнести формирование практически всей отечественной номенклатуры помехоподавляющих конденсаторов и фильтров нижних частот. За последние годы разработаны и освоены в производстве малогабаритные сигнальные фильтры, в т.ч. фильтры-контакты для разъемов типа Б24, широкая унифицированная серия проходных фильтров типа Б25, полностью заменяющая морально устаревшие фильтры Б23. Завершена разработка расширенной современной унифицированной серии проходных фильтров Б26, что знаменует собой по существу завершение первого этапа формирования современной функционально полной отечественной номенклатуры помехоподавляющих керамических фильтров двойного назначения.

КБ «ИКАР». ИЗ ИСТОРИИ СОЗДАНИЯ НИЖЕГОРОДСКИХ РЕЗИСТОРОВ

А.С.Гудков, Н.Я.Пратусевич

Резисторы для СВЧ-техники

Дальнейшее развитие направления по созданию резисторов и поглотителей для СВЧ-техники привело к созданию целого ряда резисторов новой, оригинальной конструкции, таких как плоские, цилиндрические для коаксиальных линий, чип-резисторы и т.п.

Благодаря инициативе специалистов И.Ф.Соловьева, Ю.Ф.Шмелева, И.И.Байшева, высокие технические показатели создаваемых изделий основывались на использовании новейших к тому времени материалов и технологических процессов. В частности, работы И.Ф.Соловьева позволили успешно создать технологию нанесения резистивных пленок за счет вакуумного разложения металлоорганических соединений, созданных академиком Г.А.Разуваевым.

С 1975 г. все работы по созданию и выпуску резисторов и поглотителей средней, большой и сверхбольшой мощности возглавил В.А.Быков – главный конструктор этого направления, работавший заместителем главного инженера ОКБ.

По этому направлению для нужд измерительной техники создаются резисторы типа С2-20, С6-1, П2-4В, С6-8 (главный конструктор – О.А.Блудова).

Разработчики Ю.Ф.Шмелев и В.Е.Подмогаев создают новый тип резисторов (чип-резисторы) С6-4, С6-9 для применения в гибридных интегральных схемах.

Ряд цилиндрических резисторов С6-2, С6-3, С6-7, С6-6-Ц для коаксиальных трактов и пластинчатых резисторов С6-5, С6-6, C6-6-I для нужд вычислительной техники был создан инженерами И.И.Байшевым, Л.С.Николаевой, П.Н.Скуридиной, Л.А.Малыгиной.

При дальнейшем развитии этого направления создаются миниатюрные коаксиальные резисторы Р1-6 (Л.С.Николаева) и резисторы для полосковых линий – СВЧ-чип Р1-1 (А.И.Терешин), Р1-8 (В.Е.Подмогаев), СВЧ-резисторы на теплоотводе Р1-3 (В.А.Малыгина), Р1-5 (Л.В.Ивунина), Р1-9 и Р1-17 (Л.С.Николаева), Р1-29 (С.В.Симаков); мощные ВЧ-резисторы до 10 Вт Р1-22 (Т.А.Суралева) и до 500 Вт Р1-36 (С.В.Симаков).

Проволочные резисторы

Первой продукцией, которую в 1950 г. начал выпускать завод радиодеталей (впоследствии завод «Орбита»), были переданные с завода им. Ленина проволочные остеклованные резисторы типов ПЭ, ПЭВ, ПЭВХ и ЭЖВ.

В работу по улучшению технологичности производства проволочных резисторов в начальный период становления внесли существенный вклад специалисты ОКБ А.В.Краснов, Д.Ф.Антонов (совершенствование конструкции), В.А.Российский (создание мокрого способа эмалирования и совершенствование конструкции), С.Г.Гурьев, М.П.Аратская, Н.М.Баранова, которые создали новые рецепты стеклоэмали (более низкотемпературные и менее токсичные – безсвинцовые), а также внесли много улучшений в процесс изготовления керамических оснований, главное из которых было в замене радиофарфора на ультрафарфор (УФ-46).

Заметный вклад в совершенствование технологии проволочных резисторов внесли химики ОКБ под руководством СМ.Красильникова, а затем В.И.Бланкштейна (новые составы маркировочных красок, цементирующих составов, подмазок и т.п.).

Целый ряд несложных станков и приспособлений, а также приборов для измерения и контроля были в тот период разработаны и изготовлены под руководством специалистов ОКБ И.В.Шебалкова, В.П.Бузлаева, И.Г.Пашевича, Г.В.Кудинова, А.М.Кучкина, Е.П.Корзуева.

Необходимо отметить, что в 1954-1955 гг. производство проволочных резисторов типов ПЭВ, ПЭВХ в соответствии с договором о научно-техническом сотрудничестве было освоено в Китайской Народной Республике.

Работу по освоению и обучению персонала в Китае проводил ведущий специалист ОКБ И.Г.Пашевич.

В конце 1956 г. по прямому указанию заместителя министра К.И.Мартюшова было организовано срочное освоение прецизионных проволочных резисторов типов ПТ и МПТ разработки одного из московских предприятий.

В срочном порядке из состава работников ОКБ и завода был организован цех, который возглавил начальник лаборатории ОКБ И.Г.Пашевич. Заместителем его, техническим руководителем был Н.Я.Пратусевич. На ключевых постах были инженеры из ОКБ А.В.Зарипов, Л.Л.Захарова, а также М.Г.Варенцова, которая впоследствии вернулась в ОКБ начальником химической лаборатории.

Производство было налажено менее чем за три месяца, и начался серийный выпуск этих резисторов.

Интересно отметить, что решая задачу обеспечения качества резисторов ПТ, МПТ, впервые в отрасли были разработаны технология и оборудование для циклической термоэлектротренировки резисторов (суточный прогон), позволявшие выбраковывать резисторы с ненадежным контактным узлом. Метод, предложенный инженерами В.А.Российским и Н.Я.Пратусевичем, позволил решить задачу без применения дорогостоящего холодильного оборудования, но с достаточной эффективностью.

Резисторы ПТ, МПТ обладали рядом существенных недостатков, таких как большой вес, малая удельная мощность рассеяния, плохая влагостойкость, недостаточная надежность.

В конце 1950-х гг. под руководством главного инженера ОКБ Б.В.Маликова были разработаны современные прецизионные резисторы ПКВ, полностью заменившие ПТ, МПТ и по техническому уровню (точность, влагостойкость, весогабаритные характеристики, надежность), находившиеся на уровне лучших мировых образцов того времени. При создании этих резисторов были использованы новейшие материалы, такие как кремнийорганические составы, разработанные под руководством профессора Н.П.Харитонова (г. Ленинград), принимавшего участие как в создании производственного участка по выпуску кремнийорганических составов на заводе, так и по созданию и освоению резисторов ПКВ.

Всего в 1951-1969 гг. было разработано и освоено в производстве 28 типов проволочных резисторов, в т.ч. ПКВ (главный конструктор – Б.В.Маликов), ППБ и СП5-7 (главные конструкторы – А.В.Краснов и В.А.Российский), высокотемпературные ПЭВТ (главный конструктор – З.С.Цыганов), микромодульные постоянные С5-6, С5-18 (главный конструктор – В.Л.Волкова), микромодульные переменные СП5-6 (главный конструктор – В.А.Российский), нагрузочные высокой надежности С5-35, С5-36, С5-37 (главный конструктор – И.П.Таран).

Каждая разработка содержала элементы новизны и ноу-хау, оформленные авторскими свидетельствами.

По своим показателям эти резисторы не уступали лучшим зарубежным аналогам и с успехом выпускались на заводе «Орбита», а после передачи производства – на других заводах страны (в гг. Пенза, Йошкар-Ола, Учкекен, Алагир, Орджоникидзе и др.).

С 1965 г. по решению министерства производство всех проволочных резисторов и их разработка переданы на другие предприятия страны с целью сосредоточить усилия ОКБ и завода «Орбита» на выпуске металлопленочных резисторов и создании новых видов этого класса изделий.

…

Наращивание выпуска резисторов МЛТ во второй половине 1950-х гг. было главной задачей ОКБ и завода. Специалистам ОКБ приходилось совместно с производственниками решать массу технических и организационных задач. Особенностью того времени было то, что в интересах дела специалисты ОКБ часто переходили на завод, а производственники – в ОКБ. Пионерами освоения резисторов МЛТ были начальник цеха (впоследствии начальник лаборатории ОКБ) Н.С.Оршанский, начальник цеха Т.В.Милова (проработавшая до этого начальником лаборатории в ОКБ), технологи И.А.Батырева, А.М.Максимова; начальник лаборатории, впоследствии заместитель главного технолога завода А.А.Рябкова; заместитель начальника цеха, впоследствии начальник лаборатории ОКБ, а затем главный инженер Одесского завода Н.Н.Серяков; начальник ОТК цеха, впоследствии первый начальник лаборатории и отдела надежности ОКБ В.Г.Долбнева и многие другие специалисты и энтузиасты нового дела.

В освоение производства керамических оснований для непроволочных резисторов много сил, энергии и знаний вложили Е.Я.Морозова – заместитель начальника керамического цеха, впоследствии начальник керамической лаборатории ОКБ, заместитель главного технолога З.М.Махоткина, технологи Н.Г.Карпова, Е.Н.Вичина и др.

Это их усилиями была внедрена в производство оснований для резисторов МЛТ малощелочная керамика, что резко повысило качество и надежность резисторов МЛТ, особенно при работе на постоянном токе.

Задача повышения технологичности и совершенствования производства резисторов МЛТ потребовала серьезной перестройки в ОКБ. В лаборатории пленочных резисторов, созванной Н.С.Оршанским, которую впоследствии возглавляли Н.Н.Серяков, Л.И.Горькова, С.В.Теплицкая, возникли и развились направления по созданию прецизионных и высокочастотных металлопленочных резисторов на базе унифицированной конструкции цилиндрического резистора с аксиальными выводами.

Были созданы восокотемпературные низкоомные резисторы С2-11 (Л.И.Горькова), высокочастотные МУН, МУЛ, С2-10 (Н.Н.Серяков, О.А.Блудова, А.А.Слягин), резисторы для использования в области повышенных температур до 300°С – С2-6 (Л.И.Горькова, С.В.Теплицкая) и ряд других изделий общего применения.

Резисторы МЛТ были успешно использованы в аппаратуре первых искусственных спутников Земли, за что в 1957 г. группа работников завода и ОКБ была удостоена правительственных наград. Орденами и медалями были награждены директор завода Б.В.Вытнов, главный инженер завода Л.А.Куранов, начальник лаборатории ОКБ Н.Н.Серяков, специалист-керамик Е.Я.Морозова и др.

В 1960-х гг. коллектив ОКБ начал работу по созданию прецизионных металлопленочных резисторов. Это потребовало создать лабораторию физических исследований и группу по разработке новых резистивных материалов повышенной стабильности.

Усилиями начальника лаборатории В.Л.Волковой, инженеров В.Ф.Ряхина, А.А.Слягина, М.Г.Слушкова с привлечением специалистов Уральского политехнического института и Горьковских институтов были разработаны новые керметные составы и способы их нанесения.

В результате в 1975 г. были созданы и поставлены на массовое производство прецизионные резисторы, С2-29В, которые заменили морально устаревшие МГП, С2-13 и другие, выпускавшиеся до них.

Резисторы С2-29В (главный конструктор В.Л.Волкова) впервые в мире обеспечивали стабильность в пределах класса точности (до 0,05 %).

ПРОДУКЦИЯ ОАО «НПО «ЭРКОН» – ЗАЛОГ РАЗВИТИЯ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Б.В.Иванов

ОАО «Научно-производственное объединение «ЭРКОН» – ведущее предприятие радиоэлектронного комплекса Российской Федерации в области разработки и производства постоянных непроволочных резисторов коммерческого и специального назначения.

Ассортимент выпускаемой продукции ОАО «НПО «ЭРКОН» составляют более 40 типов изделий, среди них резисторы общего применения С2-33Н, Р1-12, прецизионные и сверхпрецизионные С2-29В, С2-29С, Р1-8МП, Р1-16, ВЧ- и СВЧ-резисторы и поглотители. Эффективное взаимодействие научной и производственной деятельности позволяет выпускать изделия неизменно высокого качества. Практически каждый второй постоянный непроволочный резистор российского производства изготовлен на ОАО «НПО «ЭРКОН», более 50 % продукции предприятия производится для нужд оборонного комплекса России.

Совет директоров возглавляет М.В.Грибков, доктор экономических наук, профессор. Генеральным директором ОАО «НПО «ЭРКОН» является Б.В.Иванов.

Рис. 8

М.В.Грибков

Рис. 9

Б.В.Иванов

Выпускаемая продукция широко применяется в приборах космической, авиационной, автомобильной и другой техники. ОАО «НПО «ЭРКОН» сотрудничает с 1500 потребителями из России, стран СНГ, Прибалтики, Европы, Ближнего Востока и Азии. У завода сложились партнерские отношения с традиционными лидерами радиоэлектронной отрасли – фирмами из Тайваня и Сингапура.

Система менеджмента качества предприятия сертифицирована на соответствие стандартам ГОСТ Р ИСО 9001 и ГОСТ РВ 15.002-2003 (в части ЭКБ) и РД В 319.015-2006 в Системе сертификации «Военный регистр», что предоставляет право на разработку и производство новых видов продукции в интересах Министерства обороны РФ. Испытательная станция и метрологическая служба предприятия аттестованы Нижегородским ЦСМ. Метрологическая служба ОАО «НПО «ЭРКОН» имеет аттестат аккредитации на право проверки средств измерений, выданный Государственным комитетом РФ по стандартизации и метрологии. Предприятие получило положительное заключение Нижегородского областного Комитета по охране окружающей среды по экологической безопасности производства.

Непременным условием инновационного развития ОАО «НПО «ЭРКОН» является ведение научных разработок в области радиоэлектроники, которые выбираются на основе изучения перспектив развития радиоэлектронной промышленности, анализа рынка сбыта и заявок конкретных потребителей.

История предприятия началась 9 июня 1947 г., когда было принято постановление Совета Министров СССР за № 1979-513сс, а 16 июня издан приказ Министерства промышленности средств связи СССР № А-155сс о строительстве в г. Горьком завода радиодеталей с ОКБ. Организация строительства была поручена дирекции Горьковского радиотелефонного завода им. Ленина.

Горьковский завод радиодеталей, позже получивший название «Орбита», выпустил первую продукцию и вступил в строй действующих предприятий страны 12 сентября 1950 г. Основным направлением деятельности завода стало производство постоянных, металлопленочных резисторов, являющихся наиболее массовыми компонентами радиотехнических устройств и приборов, без которых трудно представить нашу современную жизнь: телевизоров, радиоприемников, магнитофонов, вычислительных машин и др.

Особенностью производства на заводе в тот период, впрочем, как и в последующие годы, была большая доля продукции оборонного назначения, изготавливаемая под контролем генерального заказчика.

У истоков производства стояли директор завода В.Н.Фалеев, главный инженер завода Б.В.Маликов, главный конструктор завода И.М.Буторин, начальник производства Ф.С.Бондаренко, его заместитель П.А.Вогстряков, начальник ОТК Н.Н.Пугин, инженеры А.В.Краснов, В.А.Френкина, начальник отделения А.А.Царичанский и многие другие. Среди строителей завода был известный человек в городе – А.И.Бурин, стахановец первых советских пятилеток, удостоенный в 1935 г. ордена Ленина за новаторство, проявленное при строительстве Горьковского автозавода.

Рис. 10

А.А.Царичанский (в центре) с первой на заводе бригадой коммунистического труда

Коллектив завода «Орбита» начал формироваться после прихода на предприятие группы специалистов с завода им. В.И.Ленина (НИТЕЛ).

…

Завод рос и мужал в атмосфере напряженного труда и постоянного творческого поиска, увеличивался выпуск продукции, осваивались новые изделия. Формировался и сплачивался коллектив, создавались рабочие традиции. В начале 1950-х гг. пришли на завод молодые инженера и техники, которые позже стали ведущими специалистами своего дела, авторитетными руководителями. С 1963 г. директором завода становится Л.А.Куранов. Силу и мощь предприятия крепили своим трудом М.П.Аратская, М.Г.Варенцова, В.Л.Волкова, Н.П.Горст, В.И.Карпеченков, Н.Г.Карпова, В.И.Квасов, Г.В.Краева, Г.В.Кудинов, А.М.Кучкин, А.П.Маотин, З.М.Махоткина, Е.Я.Морозова, Н.Я.Пратусевич (главный инженер завода с 1963 по 1983 гг.), В.А.Россинский, А.А.Рябкова, Б.П.Сбитнев, А.И.Серова, Н.Н.Серяков, Н.Ф.Супрун, Е.К.Таран, А.В.Чистяков, Т.Ф.Чистякова и многие другие.

…

С 1970-х гг. на заводе неуклонно растут объемы производства, почти удваиваясь каждую пятилетку. В это время на предприятии освоен выпуск прецизионных резисторов. Все выпускаемые резисторы имели двойное назначение: для общепромышленного применения и для военной техники.

Высокий темп роста объемов выпуска резисторов достигался не только расширением производства, но и, прежде всего, за счет внедрения высокопроизводительного автоматизированного оборудования.

Необходимо отметить, что успех развитию производства обеспечивал самоотверженный труд его работников. Среди них – Ф.П.Абросимов, Ю.Н.Андреев, М.Г.Варенцов, В.Н.Виноградов, В.Л.Волкова, А.М.Гончаров, Л.И.Горькова, А.В.Григорьев, А.С.Гудков, М.Б.Дружинин. С.Ф.Елисеев, О.А.Жакевич, В.В.Запевалов, В.А.Костин, Ю.И.Котов, В.В.Пахрицин, Е.А.Погонова, Н.Я.Пратусевич, Г.А.Сачев, Н.Ф.Супрун, Е.К.Таран, В.Я.Черепанов, Л.М.Шинкаренко и многие другие.

В целях более тесной производственной, технической и технологической кооперации предприятий резисторостроения в 1977 г. было создано производственное объединение «Эркон», головным предприятием которого становится завод «Орбита». В состав объединения вошли также завод «Ресурс» (г. Богородицк Тульской обл.), Южно-Уральский завод радиокерамики (г. Челябинск), завод «Цитрон» (с. Шпаковское Ставропольского края). Плодотворная деятельность объединения базировалась на специализации, кооперации и взаимопомощи.

Рис. 11

Начальники цехов: В.А.Суслов, В.С.Карабин, Н.Ф.Капустин, А.В.Семочкин, С.В.Фомичев, В.Д.Воронцов, А.В.Григорьев, В.Б.Никитин, В.Н.Котов, Ю.А.Сиротин, С.В.Бова, В.И.Лонин, М.А.Белобородов, Е.С.Покровский, А.В.Скаржевский. 1987 г.

Долгие годы завод «Орбита» сотрудничал со своим соседом – Научно-исследовательским институтом технологии и организации производства. Коллективы связывали творческие отношения, в результате которых были выполнены и внедрены в производство такие разработки, как автоматы нарезки с программным управлением, серия раскалибраторов по сопротивлению и другие высокоэффективные технологические новшества.

БОЛЕЕ 40 ЛЕТ НА СЛУЖБЕ ОТЕЧЕСТВЕННОГО РЕЛЕСТРОЕНИЯ. ОАО «НПП «СТАРТ»

О.А.Матвеев, В.Н.Антонов, Т.А.Иванова

Более 40 лет новгородское ОАО «НПП«Старт» на службе отечественного релестроения. За прошедшие десятилетия на предприятии прошли события, достойные того, чтобы говорить о них с гордостью. Главной ценностью предприятия в первую очередь являются работающие здесь люди. Это настоящие профессионалы, патриотично настроенные, самоотверженные.

Создатели крохотного прибора, от которого зависит жизнь автоматики – это элита, причем не только с точки зрения науки и техники, но и с позиции общечеловеческих ценностей. Ведь представители этой уникальной профессии – люди с высоким чувством ответственности. Это специалисты, готовые к работе любой степени сложности, к выполнению самых высоких, «космических» задач. Это люди целеустремленные, творческие, вдумчивые, терпеливые, работающие на результат. Именно такие стояли у истоков создания производства и продолжают здесь работать.

Наибольший вклад в развитие завода и создание новой техники внесли генеральный директор А.А.Михайлов (1965-1991 гг.), Э.К.Николаенкова, С.Н.Ладанов, Н.И.Потапов, Ю.Б.Семенов, С.Н.Нарцызов, В.М.Любичев, А.В.Желанов, А.А.Павлов, Г.С.Васильева, Л.П.Никитина, А.П.Михайлова, Ю.А.Запутряев, Л.А.Андреев, А.С.Ким, В.Б.Румянцев, Е.В.Буданов, В.Ф.Емельянов, Р.М.Любезнов, В.Е.Смолькин, Ж.М.Прядко, М.Г.Ракушин, А.А.Загвозкин, Н.Н.Матвеев, И.А.Жеребкова, О.А.Михайлова, В.В.Лебедев, Л.И.Лесит, Н.П.Задорожная, А.И.Матвеева, Г.А.Прокопчук, А.В.Васильев, В.Г.Хамова, Т.В.Алексеева, В.Н.Николаев, В.М.Заморенов, А.А.Кузьмин, А.Ф.Данилов, Л.А.Иванова, О.М.Богданов, И.Л.Шандобыло, А.М.Шахов, Р.А.Петушкова, Г.А.Мунева, Т.А.Ручьевская, Ю.В.Малетин и др. Многие работники «Старта» были удостоены государственных наград. Из 170 человек, удостоенных наград, сегодня трудятся 88 орденоносцев, 51 награжденных медалями, 57 – министерскими грамотами, 10 удостоены знака «Почетный радист». В 2011 г. высокой государственной награды – медали ордена «За заслуги перед Отечеством» II ст. удостоен регулировщик РЭАиП отдела метрологии А.А.Кузьмин.

Рис. 12

А.А.Михайлов

Михайлов Андрей Анатольевич (род. в 1930 г.)

Генеральный директор ОАО «НПП «Старт» (1965-1991 гг.). Окончил Ленинградское Арктическое училище, ЛЭТИ, Академию народного хозяйства. Работал судовым механиком на ледоколах Севморпути. С 1954 г. работал на предприятиях радиоэлектронной промышленности Новгорода: ст. инженером на заводе «Волна», начальником цеха, заместителем главного технолога, заместителем главного конструктора на телевизионном заводе. В 1962 г. назначен заведующим промышленно-транспортным отделом горкома партии. В 1965 г. назначен директором строящегося завода по производству телевизоров (завод «Кинескоп», завод «50 лет Октября»). Инициатор создания в Новгороде филиала Северо-Западного Института повышения квалификации руководящих кадров Министерства радиоэлектронной промышленности, преподаватель этого Института. Заслуженный машиностроитель. Заслуженный работник радиопромышленности. Награжден орденами Трудового Красного Знамени, «Знак Почета», медалью «За отвагу».

Рис. 13

Н.К.Михайлов

Михайлов Николай Константинович (род. в 1937 г.)

Генеральный директор ОАО «НПП «Старт» (1991-1996 гг.). Окончил Ленинградский военно-механический институт. На заводе «50 лет Октября» до назначения генеральным директором работал начальником бюро НОТ, начальником бюро подготовки производства, начальником цеха, главным технологом, главным инженером. Награжден орденами «Знак Почета», Трудового Красного Знамени. Почетный работник промышленности средств связи.

Рис. 14

Г.А.Семенов

Семенов Геннадий Алексеевич (род. в 1956 г.)

Генеральный директор ОАО «НПП «Старт» (1996-2004 гг.). Первую запись в трудовой книжке сделал на «Новгородхимстрое», куда пришел работать по комсомольской путевке. Окончил Новгородский политехнический институт, после его окончания – инженер-конструктор-технолог РЭА. По распределению Минвуза работал ассистентом на кафедре конструирования и производства РЭА, где начал заниматься научной деятельностью, которую продолжил в НИИ «Растр». Кандидат технических наук. Награжден бронзовой медалью ВДНХ.

Рис. 15

С.А.Кузьменко

Кузьменко Сергей Александрович (род. в 1960 г.)

Генеральный директор ОАО «НПП «Старт» (2004-2008 гг.). Окончил Киевское высшее военное инженерное училище. С 1977 по 1998 гг. служил в рядах Вооруженных сил РФ. С 1998 г. работал специалистом в системе МО РФ. На ОАО «НПП «Старт» прошел путь от заместителя главного инженера до генерального директора.

Рис. 16

В.Н.Никитин

Никитин Владимир Николаевич (род. в 1950 г.)

Генеральный директор ОАО «НПП «Старт» (с 2008 г.). Окончил Ленинградский ордена Трудового Красного Знамени технологический институт имени Ленсовета. Работал на Ленинградском заводе «Светлана», Новгородском заводе имени Ленинского комсомола, где прошел путь от инженера-технолога до исполнительного директора. Был руководителем ЗАО «Планета-СИД», работал начальником отдела обеспечения ОАО «НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон».

В том, что предприятие работает стабильно, есть немалая заслуга прежних руководителей: Н.К.Михайлова (генерального директора в 1991-1996 гг.), Г.А.Семенова (генерального директора в 1996-2004 гг.). Большая работа проведена С.А.Кузьменко (генеральный директор в 2004-2008 гг.). Достойно продолжает традиции прежних поколений коллектив ОАО «НПП «Старт» во главе с генеральным директором В.Н.Никитиным.

ОАО «ЗАВОД «ЭЛЕКОН»: В КОНТАКТЕ СО ВРЕМЕНЕМ

Г.С.Захаров, Р.К.Мингалиев, М.Б.Стоцкий

Что представляет собой предприятие ОАО «Завод Элекон»? Совсем недавно, когда в составе объединения на базе завода было около 18000 сотрудников, когда заказы доводились централизованно, планово, когда обеспечение материальными ресурсами зависело от выделенных фондов, работу завода можно было сравнить с часовым механизмом. Завод перерабатывал металл, пластмассы, выделяемые комплектующие и производил продукцию, которая кому-то была нужна. 1990-е гг. перехода на рыночные рельсы прошлись по каждому сотруднику. На конец 1990-х гг., в начале нового века, на заводе осталось около 4000 рабочих, ИТР, служащих. Наступило время работать в условиях рыночной экономики. В этот период мобилизацию коллектива завода возглавил Н.А.Колесов. Он сумел сформировать из руководящих работников завода и вновь приглашенных специалистов команду единомышленников, где взял на себя самую ответственную роль. Но оценивая завод сегодня, нельзя забывать предыдущих руководителей, которые в самые ответственные моменты жизни и «болезни заводского организма» сохранили завод и раскрыли его потенциал на дальнейшее развитие и совершенствование. В команде Н.А.Колесова активное участие принимали Р.К.Мингалиев, ныне исполнительный директор завода, Ю.Н.Салаев, впоследствии директор Казанского оптико-механического завода, директор ЦКБ «Фотон», Р.И.Камалтдинов, ныне генеральный директор приборного завода в Йошкар-Оле, И.Н.Российский, впоследствии генеральный директор ОАО «Завод Копир» в г. Козьмодемьянске, А.Т.Кушимов, д.э.н., заместитель генерального директора, Ф.А.Хузиева, заместитель генерального директора по правовым вопросам, Е.М.Матина, заместитель генерального директора по финансовым вопросам, В.А.Есенин, заместитель коммерческого директора, А.В.Арсентьев, главный бухгалтер, а также руководители инженерной службы Ю.Н.Салаев, В.Н.Салаев, Г.С.Захаров; особую роль в деле организации производства и в переходе на работу в новых условиях взял на себя В.А.Дрантусов, руководитель производственной службы. В этот период огромный вклад в общее дело вложили кадровые специалисты, часть из которых сегодня на заслуженном отдыхе, некоторые продолжают работать на заводе и принимают активное участие в освоении новых видов изделий и организации их производства: главный технолог О.Г.Зюзин, главный конструктор М.А.Московцев, заместитель главного конструктора И.М.Гулина, главный металлург Р.Х.Латыпов, талантливый конструктор, руководитель конструкторской службы Ю.В.Хрулев, заместитель главного конструктора Б.И.Мишин, главный специалист Г.С.Иванов, Е.И.Мерзлов, начальник автоматного цеха, представители заказчика А.Н.Копылов, А.Н.Попов, В.А.Сухенко, начальники цехов В.П.Джанков, С.Л.Фингер, Н.М.Мамедов, А.И.Клюшкин, Г.А.Крутова, В.П.Коняхина и др.

ОАО «ЭЛЕКОНД» – ПЛАЦДАРМ ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЙ В ОБЛАСТИ КОНДЕНСАТОРОСТРОЕНИЯ

В.С.Конышев, В.П.Лебедев, А.В.Степанов

Перспективы развития

ОАО «Элеконд» – экономически устойчивое и динамично развивающееся предприятие. Его основная продукция – конденсаторы, использующиеся в средствах связи, машиностроении, радиоэлектронной, приборостроительной и авиационной промышленности.

Значительную часть прибыли предприятие регулярно направляет на обновление средств производства, приобретение современного технологического оборудования. В результате полностью обновлено техническое оборудование по формовке и травлению фольги для электролитических алюминиевых конденсаторов, что позволяет изготавливать анодную алюминиевую фольгу, соответствующую лучшим мировым аналогам. Приобретено производство танталовых чип-конденсаторов. Создано производство для изготовления оснастки и деталей с применением САПР и станков с ЧПУ. Продолжается приобретение современного сборочного оборудования для изготовления конкурентоспособных конденсаторов.

Основной целью предприятия является сохранение позиций на различных рынках сбыта, сохранение позиций в разработке и производстве конкурентоспособных электролитических конденсаторов серии К50, К52, К53, К58.

В 2006 г. ОАО «Элеконд» вручен Диплом «Российское качество». Конденсаторам типа К50-15, К50-17, К53-1А, К53-7, К52-9, К52-11 присвоен знак «Российское качество». Коллективу ОАО «Элеконд» вручен сертификат Европейского фонда качества (ЕFQМ, 2007 г.), два сертификата корпоративной социальной ответственности (КСО, 2008 г.).

В 2010 г. получен Сертификат доверия работодателю. Коллектив ОАО «Элеконд» занесен на Доску почета Удмуртской Республики, а также стал победителем конкурса Министерства образования и науки РФ по созданию новых конденсаторов.

Рис. 17

А.В.Степанов

Рис. 18

С.М.Аксеновский

Рис. 19

Н.В.Слугин

Рис. 20

В.П.Лебедев

Рис. 21

А.В.Алабужев

Успехи ОАО «Элеконд» в инновационном развитии неразрывно связаны с той командой, которая сложилась в последние годы. Возглавляет управленческую команду генеральный директор, кандидат экономических наук В.С.Конышев.

Управленческая команда ОАО «Элеконд» – это: заместитель генерального директора, главный инженер к.т.н. А.В.Степанов; заместитель генерального директора по производству и маркетингу С.М.Аксеновский; заместитель генерального директора по коммерческим вопросам Н.В.Слугин; заместитель главного инженера по науке и технике к.т.н. В.П.Лебедев; заместитель главного инженера по подготовке производства А.В.Алабужев. Опыт работы каждого члена этой команды на ОАО «Элеконд» составляет свыше 25 лет.

Большой вклад в инновационное развитие ОАО «Элеконд» вносят главный конструктор – главный технолог С.А.Ковин, главные конструкторы по танталовым конденсаторам Л.Н.Цыплакова, С.П.Старостин, А.А.Масалев; главные конструкторы по алюминиевым конденсаторам Л.А.Суханова, С.В.Рыбин, С.В.Волков.

ОАО «НОВОСИБИРСКИЙ ЗАВОД РАДИОДЕТАЛЕЙ «ОКСИД»

В.А.Филиппов

Во втором полугодии 1959 г. по постановлению ЦК КПСС и Совета Министров СССР на заводе было создано СКБ. Основными его задачами являлись повышение надежности, модернизация существующих и разработка новых радиодеталей, механизация и автоматизация производства в области переменных сопротивлений для широковещательной аппаратуры, плавких предохранителей и точных слюдяных конденсаторов, а также оказание технической помощи заводу в совершенствовании технологических процессов, освоении новых изделий, автоматизации и механизации отдельных технологических процессов производства других изделий, выпускаемых и осваиваемых заводом.

Коллектив СКБ внес большой вклад в развитие завода. Вот имена некоторых разработчиков и ведущих специалистов: Б.М.Кулигин, имеющий на своем счету 15 изобретений, 12 из которых внедрено в производство; Н.М.Михайлов – 10 авторских свидетельств на изобретения, 7 из которых внедрено в производство; А.А.Панов – автор 10 изобретений, из которых 5 внедрено в производство; В.Д.Гительсон – 7 изобретений, из них 6 внедрено в производство.

В 1964 г. завершено строительство корпуса, в котором позже разместился цех № 7 по выпуску оксидно-полупроводниковых конденсаторов на закупленном японском оборудовании.

В 1975 г. было принято решение о начале наиболее серьезной реконструкции завода с вводом 21 тысячи дополнительных площадей.

Помимо увеличения производственных площадей, реконструкцией было предусмотрено:

• строительство отдельно стоящего здания для размещения гальванического участка и энергокорпуса;

• строительство дополнительного корпуса 9 А площадью 11 тыс. м²;

• строительство более мощной градирни и аккумулятора холода;

• реконструкция помещений действующих цехов для обеспечения, где это необходимо, условий электронно-вакуумной гигиены;

• реконструкция действующих энергокоммуникаций.

К началу 1987 г. реконструкция завода была в основном завершена. Параллельно с реконструкцией завода коллективом проведена большая работа по переводу котельной завода на газ. 12 декабря 1986 г. зажжен голубой факел в котельной завода.

Таким образом, к началу перестройки завод превратился в одно из передовых предприятий радиоэлектронной промышленности СССР, способное выпускать сложные изделия электронной техники на современном уровне с высоким качеством.

Коллективом завода были созданы высокомеханизированные и автоматизированные производства конденсаторов: слюдяных, фторопластовых, бумагомасляных; производство плавких предохранителей, переменных резисторов различных типов, алюминиевых конденсаторов К50-6, К50-7, производство резисторов ВС, УЛМ, УЛД и т.д. Осваивались новые производства современных танталовых конденсаторов серий К52 и К53, необходимых стране, и конденсаторов К53-14 – алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов – разработки СКБ завода, заменяющих в определенных областях танталовые конденсаторы.

За систематический поиск резервов повышения эффективности производства, за активное участие в социалистическом соревновании и достигнутые результаты завод неоднократно награждался дипломами, грамотами, знаменами министерства, ВЦСПС и области, города, района.

За успехи в выполнении задания в 8-ой пятилетке коллектив завода как победитель социалистического соревнования в ознаменование 100-летия со дня рождения В.И.Ленина был награжден Почетной грамотой министерства и ЦК профсоюзов.

За высокие показатели работы в 9-ой пятилетке и в честь 50-летия образования Советского Союза завод был награжден юбилейной Почетной грамотой министерства и ЦК профсоюзов, двумя Почетными грамотами горкома КПСС и обкома профсоюзов, Памятным Знаменем ЦК КПСС, Совета Министров, ВЦСПС и ЦК ВЛКСМ, знаком министерства и ЦК профсоюзов «Коллективу – победителю в социалистическом соревновании предприятий отрасли за высокие трудовые достижения в 9-ой пятилетке 1971-1975 гг.».

За досрочное выполнение заданий 9-ой пятилетки завод награжден орденом Трудового Красного Знамени.

Не обошли награды передовиков и ударников производства, отлично работающих специалистов. За производственные достижения трудящиеся завода удостоены правительственных наград: орденом Ленина награждено 7 чел., орденом Октябрьской Революции – 10 чел., орденом Трудового Красного Знамени – 55 чел., орденом «Знак Почета» – 74 чел., Дружбы народов – 1 чел., медалями награждены 124 сотрудника.

С момента образования завода директорами Новосибирского завода радиодеталей были: В.Н.Хайновский (1952-1953 гг.), И.А.Ройзенблит (1953-1961 гг.), П.Е.Базунов (1961-1963 гг.), В.В.Козлов (1963-1968 гг.), Е.Ф.Деряжный (1968-1984 гг.), И.С.Аничкин (1984-1993 гг.), Н.А.Брюзгин (1993-2011 гг.). В 2011 г. генеральным директором избран В.Н.Белых.

Главными инженерами Новосибирского завода радиодеталей были: Д.Е.Либуркин (1952-1954 гг.), С.М.Меликьян (1954-1955 гг., 1957-1963 гг.), А.Д.Черных (1955-1957 гг.), В.М.Еремин (1963-1978 гг.), И.С.Аничкин (1978-1984 гг.), Н.А.Брюзгин (1984-1993 гг.), М.В.Тихонов (1994-2005 гг.). С 2005 г. главным инженером завода является В.А.Филиппов.

Годы перестройки существенно подорвали потенциал предприятия. Объем производства сократился почти в 17 раз, сократилась численность работающих, сократился номенклатурный перечень выпускаемой продукции, практически все объекты социальной сферы переданы в муниципальную собственность.

Но был сохранен основной состав ИТР и высококвалифицированных специалистов, способных при необходимости быстро нарастить мощность производства.

ИСТОРИЯ СОЗДАНИЯ НИИ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ И РАЗВИТИЯ ОТЕЧЕСТВЕННОГО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Б.Г.Грибов, И.А.Иванов

НИИ Материаловедения образован как п/я 2017 приказом Государственного Комитета по электронной технике при Совете Министров СССР № 155 от 25.06.1963 г., немного позже приказом № 90 к от 6.07.1963 г. заместителем директора п/я 2017 по научной части, главным инженером был назначен А.Ю.Малинин, а приказом № 103-к от 2.10.1964 г. он утверждается в должности директора п/я 2017, в дальнейшем – НИИ «Материаловедения» (НИИ МВ).

Рис. 22

А.Ю.Малинин

Перед предприятием ставились задачи изучения и определения направлений работ в области создания новых спецматериалов и технологических процессов; технически и экономически эффективных технологических процессов, оказания практической помощи при внедрении их в серийное производство.

За 4 месяца 1963 г. в институт было принято 120 сотрудников, организовано 6 лабораторий, в ноябре утвержден первый план работ института, в который вошли 3 научно-исследовательские темы: «Кристалл-1», «Галоид-1» и «Синтез-1». Первоначально НИИ располагался в школе-интернате в помещениях, не приспособленных для научно-производственной деятельности.

Первыми начальниками лабораторий были назначены А.С.Пашинкин, Ю.М.Украинский, Г.И.Журавлев, В.В.Батавин, В.М.Андреев, начальником конструкторского бюро – Ю.М.Ильин, организация электромеханической мастерской поручена Г.И.Белову.

…

Для проведения ряда исследований, в которых использовался тетраиодид германия высокой чистоты, который не выпускался в СССР, группе по руководством И.В.Коробова было поручено спроектировать и изготовить своими силами лабораторную установку для его получения.

Первый кварцевый реактор для будущей установки «Крон» был изготовлен в НИИМП. Работы по монтажу установки и разработке технологии велись круглосуточно, установка заработала, и на стенках реактора появились первые кристаллики вещества, первые граммы нового материала вскоре были переданы заказчику. Через некоторое время при участии Г.С.Тюрина, П.П.Фадеева, С.В.Срельцова, В.Г.Красова, В.К.Любимова и других были созданы установки «Синтез» и «Моноокись».

…

В 1970 г. институт проводил исследования по 92 темам, на заводе внедрялась технология газового легирования гидридами в хлоридном процессе, что позволило впервые в СССР освоить выпуск структур со скрытым слоем р-типа проводимости, а также п-типа проводимости с улучшенной воспроизводимостью удельного сопротивления.

Внедрена технология прецизионной резки монокристаллов дисками с алмазной режущей кромкой, что уменьшило толщину реза на 10 %, проводились работы по улучшению качества структур (снижение разброса по толщине, структурных дефектов, уровню загрязнения эпитаксиальных слоев примесями), внедрение пакетной загрузки пластин при ампульной диффузии мышьяка позволило сократить расход кварца в 3 раза и повысить производительность процесса. Для производства эпитаксиальных структур «кремний на сапфире» (КНС) создан участок мощностью 10 тыс. шт. в год.

Впервые в СССР были получены монокристаллы сульфида цинка, монокристаллы сульфида кадмия и фосфида галлия, начаты поиск и разработка технологии выращивания ортоферритов и т.д. На заводе по разработкам института освоен выпуск более 80 видов материалов.

Большая группы сотрудников предприятия награждена орденами и медалями СССР: орденом Ленина – А.И.Воронович, А.Ю.Малинин, А.И.Пахомкин; орденом Октябрьской Революции – В.П.Перфилов, А.Д.Бодров, Л.С.Гарба, Г.И.Журавлев, Ю.М.Ильин, В.П.Коломин, В.С.Крикоров, Л.Ф.Кузьмина, А.А.Попов, В.Е.Пушкин, С.С.Сычев; орденом «Знак Почета» – Л.И.Андреева, В.Н.Боровский, Ю.А.Губанов, И.В.Коробов, А.Д.Кузнецов, Ю.А.Райнов, А.М.Соболев, Ю.В.Спиридонов; медалью «За трудовую доблесть» – С.А.Абагян, И.К.Исаева, А.И.Краев, А.С.Лапшинов, В.Н.Юшкина; медалью «За трудовое отличие» – В.Г.Грушина, И.Н.Каунова, В.П.Румянцева, О.В.Терехова.

…

Продолжились работы по производству для создания оптоэлектронных приборов. Впервые в СССР получены структуры арсенида-фосфида галлия, дающие красное свечение, структуры фосфида галлия зеленого свечения. Проводятся работы по получению материалов для СВЧ-техники и квантовых генераторов, модуляторов когерентного излучения, лазерной техники, запоминающих устройств, для пассивных элементов ГИС в тонкопленочном и толстопленочном исполнении, работы по очистке исходных материалов и материалов общетехнологического назначения (фоторезисты, шлифпорошки, защитные и герметизирующие средства) и т.д.

Наряду с разработкой технологии и организацией выпуска моноокиси кремния велась работа и по выпуску моноокиси германия, на которую в 1970 г. был разработан и утвержден ГОСТ и присвоен Государственный Знак качества.

Для толстопленочной технологии получения гибридных ИС были разработаны и начали выпускаться резистивные и диэлектрические пасты на основе палладия и серебра.

Первая на предприятии Государственная премия присуждена коллективу сотрудников: Л.С.Гарба, В.С.Крикорову, Г.И.Журавлеву, Б.И.Шевченко, Н.М.Суханову, И.Т.Ковалеву, В.Г.Красову.

…

В 1987 г. Министерством электронной промышленности (МЭП) СССР было принято решение о создании Научно-производственного объединения «Элма», в которое вошли НИИМВ с заводом «Элма», ВНИИМЭТ (г. Калуга), завод «Аналог» (г. Ставрополь), завод «Витязь» (г. Торжок). Директором был назначен директор НИИМВ и завода «Элма», член-корреспондент АН СССР (РАН) Б.Г.Грибов. Создание такого объединения позволило проводить единую научно-техническую политику в области производства радиоэлектронных материалов как предприятиями Министерства электронной промышленности, так и в смежных министерствах, осуществлять передачу и освоение разработанных предприятием технологий производства специальных материалов другим предприятиям МЭП и другим министерствам.

Было освоено свыше 40 разработок НИИМВ на предприятиях МЭП и более 50 – в смежных министерствах.

Важным достижением работы НИИМВ (и в дальнейшем «НПО «Элма») стало полное обеспечение всех работ по производству интегральных схем и СВЧ-приборов отечественными высокочистыми и полупроводниковыми материалами, исключающими зависимость от импорта.

После распада СССР и, как следствие, резкого сокращения объемов производства высокотехнологичной продукции объединение «Элма» реорганизовалось в ряд небольших материаловедческих предприятий различных форм собственности.

Сохранившийся научно-технический потенциал в области разработок и производства радиоэлектронных материалов в России при общем развитии промышленности позволит обеспечить основными отечественными материалами российскую электронную промышленность.

РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ

В.Е.Фетисов

Электронное машиностроение создавалось усилиями тысяч специалистов – инженеров, ученых, рабочих и мастеров. Молодые выпускники машиностроительных вузов с желанием включились в работу перспективной отрасли – новой ветви машиностроения. Готовых специалистов по электронному машиностроению было очень мало, хотя начало подготовки специалистов по электровакуумной технике велось еще с конца 1940-х гг. в МВТУ им. Н.Э.Баумана. Настоящее становление специальностей по электронному машиностроению произошло в 1960-х гг.

Большую роль в подготовке кадров для электронной промышленности, в т.ч. в подготовке инженеров, конструкторов и технологов по электровакуумному и полупроводниковому машиностроению, сыграл созданный в 1962 г. Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ).

В тот же период были образованы факультеты и кафедры электронного машиностроения в Московском институте электронной техники (МИЭТ, 1965 г.), в Саратовском политехническом, Луганском машиностроительном институтах и других вузах страны.

Существенное пополнение корпуса специалистов по электронному машиностроению произошло за счет прихода их из оборонных отраслей, быстрой адаптации к новым технологиям и продуктивной работе по созданию специального технологического оборудования. Многие из них позже стали крупными специалистами в этой области машиностроения, руководителями конструкторских бюро, научно-исследовательских институтов, заводов, производственных и научно-производственных объединений.

Их имена достойны того, чтобы остаться в летописи электронной промышленности. Прежде всего хотелось бы отметить огромную роль в формировании электронного машиностроения, создании и развитии предприятий. НИИ и ОКБМ заместителей министра А.А.Захарова, С.В.Илюшина, А.Ф.Казакова, М.Г.Язова, А.А.Чернышева.

Огромную «черновую» работу по созданию спецмашиностроения выполнила «старая гвардия» директоров заводов и НИИ: В.Ф.Федоров, И.М.Глазков, А.Г.Крамаренко, Г.Н.Кораблев, М.Т.Мелентьев, В.С.Беляев, И.И.Ознобкин, А.П.Рябов, В.С.Житников, В.Н.Моренко, Ф.И.Колпаков, А.Г.Денисов, С.А.Векшинский, А.Г.Салин, Р.М.Безсалько.

В более поздние времена созидательную работу продолжили их преемники: В.А.Комаров, В.Е.Фетисов, М.П.Желтов, Н.Ю.Алферов, Г.Н.Федоренко, А.Ф.Ромашевский, Е.Е.Онегин, В.И.Кратенко, В.М.Литвинов, В.П.Сорока, С.В.Романов, А.А.Уксусов, В.П.Инютин, В.В.Варцов, В.С.Щербаков, В.В.Попов, В.Х.Хабитов, М.П.Якимив, Л.В.Лобиков, Н.Н.Тюрин, В.А.Фетисов, А.М.Сандалов, В.Н.Галай, А.П.Креницкий.

Этот список был бы неполным, если не учесть огромную творческую и организационную работу, которую выполняли талантливые специалисты в области точного машиностроения, механики, приборостроения, химии: В.И.Мальто, П.И.Масленников, Б.Я.Серов, В.Н.Суворов, В.В.Голоскоков, В.А.Зенькович, А.А.Булаев, В.Т.Васильев, А.И.Савин, И.М.Кобылянский, Л.Я.Варлов, А.П.Гулевич, В.И.Герасименко, И.Е.Сергеенко, В.Ф.Филимонов, В.П.Шаповалов, Г.Э.Томашевский.

Электронное машиностроение в своей активной фазе развития просуществовало не более тридцати лет (1960-1990 гг.). За относительно короткий промежуток времени оно практически было создано, оформилось в мощную подотрасль, достигло наибольших объемов выпуска – свыше 1,2 млрд руб. в год. Были построены десятки новых заводов, реконструированы с расширением площадей старые предприятия, доставшиеся Минэлектронпрому от разных ведомств. Не было звена в электронных технологиях, которое не обеспечивалось бы отечественным технологическим оборудованием.

Это стало возможным благодаря тому, что со временем сформировались высококвалифицированные коллективы разработчиков и исследователей СТО, мощные производства точного машиностроения, учебные центры по подготовке специалистов высшего и среднего звена. Решена была сложнейшая проблема (вопреки запретам КОКОМ): обеспечение отечественной электронной промышленности технической базой, ее независимости в функционировании и развитии.

Несомненно, в этом велика роль штаба отрасли. Руководители отраслевых главных управлений понимали, что решить проблему обеспечения СТО можно только общими усилиями и принимали все возможные меры по развитию мощностей для изготовления оборудования и средств автоматизации.

Наиболее существенный вклад в развитие отраслевого машиностроения внесли: П.Е.Зинеев, А.А.Лысков, И.Т.Якименко, А.А.Константинов, П.Е.Грудень, Ю.Х.Гукетлев, Ю.П.Поцелуев, А.М.Надвиков, А.С.Гладков, Н.А.Киреев, В.Ф.Станиславчик, В.Г.Калашников, В.М.Гудков, Г.В.Бечин, Э.Е.Иванов.

О ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ФГУП «НИИВТ ИМ. С.А.ВЕКШИНСКОГО»

С.О.Бородин, С.Б.Нестеров, Ю.П.Петров

Ионно-лучевое оборудование и технологии

Еще в 1950-х гг. в технической литературе появились первые сведения о том, что зарубежные ученые ведут работы по ионно-лучевой технологии и достигли в этой области значительных успехов. В.А.Симонов был уверен в преимуществах метода ионного легирования перед диффузионным процессом, сплавлением и легированием из расплава. Он дает задание группе молодых физиков – Г.С.Зайцеву, А.В.Шашелеву и С.Н.Ячменеву провести исследования на установке ИСЭП-3, которые показали, что метод ионного легирования – применительно к отечественным условиям и возможностям – пригоден для создания диодных и транзисторных структур, а следовательно, и интегральных схем.

К этому времени в стране имелись серийно выпускаемые установки ИЛУ-2 и ИЛУ-3 – разработки Института атомной энергии (В.М.Гусев)

После длительных раздумий и оценок последовало указание КБ разработать ионно-лучевую установку. Начальник конструкторского бюро М.И.Медников подолгу обсуждал с В.А.Симоновым концепцию будущей установки. В этом участвовали лучшие силы. Решили для начала сделать экспериментальную машину и назвали ее «Везувий-68».

Установку собрали из имеющихся узлов и блоков. Был использован мощный электромагнит, оставшийся от уранового проекта. Силами механической мастерской изготовили несколько оригинальных узлов. Специалисты группы В.Н.Матвеева – В.П.Ермаков, И.Г.Демин – обеспечили надежное электропитание. А.В.Шашелев провел серию физических экспериментов, и В.А.Симонов дал указание соорудить усовершенствованный вариант установки «Везувий-69» и промышленную установку универсального типа «Везувий-1».

Разрабатывала новую установку группа конструкторов во главе с талантливым инженером-конструктором А.А.Гуревичем. В 1964 г. он с отличием окончил Московский институт электронного машиностроения и одним из первых упомянут в книге «40 лет Московскому институту электронного машиностроения МИЭМ», изданной к юбилею в 2002 г. В составе КБ отдела он участвовал в разработке сложной электрофизической высоковакуумной аппаратуры для исследования плазменных процессов. Для установки «Везувий-1» при его участии была разработана инжекторная часть.

Научные аспекты исследований по теме «Везувий-А» были подробно изложены в отчете «Экспериментальные и теоретические исследования по физическим основам ионно-лучевой технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем» (авторы отчета – В.А.Симонов, Л.М.Блюмкин, С.Н.Ячменев, Э.А.Таирова, М.Н.Ляхов, З.И.Видничук, В.А.Соколов, А.В.Шашелев).

Первая установка «Везувий-1» была изготовлена в НИИВТ и оказалась достаточно удачной. Но триумфального шествия оборудования по предприятиям отрасли не наблюдалось. Как позже признался министр электронной промышленности А.И.Шокин, установки приходилось буквально «вбивать» потребителю. Первые плоды тесного сотрудничества с предприятиями отрасли были налицо. Благодаря усилиям Л.М.Блюмкина, Е.В.Шокина, М.Н.Ляхова, А.Н.Могутова разработанный в НИИВТ технологический процесс ионной имплантации в производстве биполярного транзистора 2Т 318, внедренный на Фрязинском заводе полупроводниковых приборов (ФЗЭАП), позволил повысить выход годных изделий на 15-20 %. Аналогичное повышение наблюдалось и при производстве биполярных интегральных схем с изоляцией p-n-переходом «Логика-II».

Когда В.А.Симонов вышел на трибуну большого конференц-зала НИИВТ после поздравлений по случаю 50-летия, он вынул из кармана горсть транзисторов 2Т 318 и с гордостью сказал «Вот то, ради чего стоило работать. Лучшего подарка придумать нельзя».

Теперь стояла задача расширения масштаба применения полупроводникового оборудования и технологии на серийных полупроводниковых заводах. Директор института М.М.Федоров всемерно поддержал новое направление отдела.

В 1970 г. родилась еще одна идея – разработать острофокусную установку (диаметр пучка 1-5 мкм) с изготовлением опытной партии в количестве 3 штук для НИИПЭ, НИИМЭ, НИИППС.

Назначение установки – безмасочное легирование для полупроводниковых приборов с малой легируемой площадью (типа диодных матриц).

Такая установка была изготовлена. Она была более компактной, чем «Везувий-1», но не была в то время востребована потребителем.

ЭЛЕКТРОННОЕ МАШИНОСТРОЕНИЕ БРЯНЩИНЫ

Статья подготовлена В.Ф.Гребенщиковым при участии В.Ю.Буряка, В.П.Инютина, В.С.Абушенко. Использованы материалы книги В.А.Фадеева «Годы и люди», воспоминания Г.П.Хроменкова, В.А.Федоренко, М.П.Фрумкина

БЗТО

Проводником технического прогресса на заводе с первых его дней было ОКБ, созданное приказом директора № 8-к от 12 января 1966 г.

Общее административно-техническое руководство возложено на начальника технического отдела завода С.П.Чернушевича, начальником ОКБ назначен конструктор В.Н.Пантюхов. Руководство отделом последовательно осуществляли главные инженеры: В.И.Киселев (1967-1971 гг.), В.Ф.Костиков (1971-1973 гг.), В.А.Чудаков (1973-1982 гг.), Ю.С.Конюх (1982-1990 гг.).

В самом начале бюро состояло из 8 чел. В основном занимались разработкой технического оснащения строящегося завода (тумбочки, верстаки, шкафы и т.д.). Уже в конце 1966 г. заводу был поручен выпуск технологического оборудования – технологических складов для выдержки кинескопов нескольких типов. Затем появился заказ на станки для шлифовки и полировки элементов кинескопов, следом появились конвейерные электротермические печи для обработки изделий электронной техники (ИЭТ).

В течение пяти лет коллектив ОКБ вырос до численности более 100 человек. Приказом Министерства № 124 от 15.04.1971 г. ОКБ стало именоваться ОКБМ (Особое конструкторское бюро машиностроения) и с 1 августа 1971 г. переведено на самостоятельный баланс.

В 1972 г. ОКБМ приступило к собственным разработкам: вакуумные установки разных типов и назначения, конвейерной электропечи с температурами от 200 до 1200 ºС и выше от 3 до 8 секций, в зависимости от проводившихся в них технологических процессов.

К середине 1980-х гг. по документации, разработанной в ОКБМ, выпускалось более половины всей продукции БЗТО. При этом большая ее часть выпускалась со Знаком качества. Некоторые изделия поставлялись на экспорт.

Определились свои ведущие специалисты по направлениям технологических изделий:

• конвейерные печи и вакуумные установки – С.П.Литвинов, Л.М.Гришин, Н.Ф.Дудко, В.П.Коротков;

• ионно-лучевые установки – Б.З.Геоня, В.В.Тонцев;

• лазерное оборудование – Е.В.Чучумаев;

• мотор-тестеры – А.К.Дорожкин, И.М.Трошечкин;

• товары народного потребления – Г.К.Золотов.

Численность трудового коллектива приближалась к 500 чел.

Активное и успешное участие приняли специалисты ОКБМ в создании уникального ускорительно-накопительного кольца на энергию 3 тыс. млрд эВ. Заводу было поручено разработать и изготовить всю вакуумную систему для УНК-3. Генеральным конструктором был начальник отдела НИИВТ, канд. техн. наук Э.П.Коллеров, разрабочиками – В.А.Фадеев, М.П.Сафонов, В.П.Верещагин, Е.Ф.Риваненко, Е.Н.Дубровская и др.

Сотрудничество коллектива ОКБМ с учеными НИИВТ было постоянным и многосторонним. В качестве примера можно привести разработку, изготовление, монтаж и запуск вакуумно-технического комплекса для откачки и испытаний термоядерного реактора по теме «Тажура» в Ливии. Главный конструктор по этой теме – главный инженер ОКБМ В.А.Чудаков, научно-технический руководитель – начальник отдела 70 НИИВТ В.А.Симонов, жесткий контроль за исполнение осуществлял главный инженер 6 ГУ В.С.Житников. Также в тесном контакте с НИИВТ были созданы и серийно изготавливались установки ионной имплантации.

С.П.Чернушевичем, М.П.Сафоновым, Е.Ф.Риваненко и другими были разработаны и изготовлены в основном производстве БЗТО откачные посты для термоядерных реакторов типов «Токамак-Т», «Токамак-Т15» для института ИЯЭ им. Курчатова.

ОАО НИИ «Изотерм»

ОАО НИИ «Изотерм» – один из ведущих российских институтов, который имеет значительный опыт как по созданию специального оборудования для выращивания монокристаллов кремния, сапфира, граната, так и по разработке, производству вакуумного, термодиффузионного и конвейерного электротермического оборудования.

Одним из приоритетных направлений деятельности предприятия является разработка и изготовление оборудования с различной технологией выращивания монокристаллов. Общее руководство проектов по данному направлению поручено Ю.В.Дарковскому.

Следует отметить работы НИИ «Изотерм» по совершенствованию действующего ростового оборудования. Так, на основе разработок ФГУП «Гиредмет» осуществлена модернизация установок типа «Редмет-30» по проектам «Редмет-60» и «Редмет-60МУ», позволяющая выращивать бездислокационные монокристаллы кремния диаметром 150-200 мм и массой до 60 кг. Проведена модернизация трех таких установок для Подольского химико-металлургического завода. Большой вклад в создание установок, предназначенных для выращивания монокристаллов и их составных частей, внесли ведущие специалисты В.С.Пыриков, А.И.Кольцов, Н.С.Шканаев, В.Н.Фролов.

Выполняются работы по изготовлению установок для выращивания монокристаллов арсенидов индия и галлия (разработчик – В.Н.Фролов).

В 2007-2009 гг. по государственному заказу для технического перевооружения ОАО «ОХМЗ «Гиредмет» был изготовлен и поставлен печной агрегат установки электронно-лучевой плавки П1056 в комплекте (разработчики – А.И.Кольцов, Ю.В.Дарковский).

ЗАО «СпецЭлектроМеханика»

К новым предприятиям, «кровно» связанным с предприятиями радиоэлектроники Брянщины, следует отнести и ЗАО «СпецЭлектроМеханика».

В 2006 г. группа энтузиастов – выходцев с Брянского электромеханического завода, Брянского специального конструкторского бюро, БЗТО, ОКБМ («Изотерм») во главе с И.В.Картавенко (В.В.Руденок, Р.В.Белов, С.И.Солуков, В.А.Хохлов, В.И.Картавенко и др.) заложили основу будущего предприятия.

ЗАО «СпецЭлектроМеханика» производит импульсные источники питания, шкафы питания, шкафы автоматики и телемеханики, отвечающие потребностям рынка. Постоянно ведутся научные работы в области модернизации и повышения надежности продукции с использованием передовых технологий и современной элементной базы. На всех этапах производства ведется жесткий контроль технологических процессов и качества выпускаемой продукции.

ООО НПО «ЭЛЕКТРОНТЕХНИКА»

ООО НПО «Электронтехника» входит в состав предприятий оборонно-промышленного комплекса (ОПК) Брянской области, является активным членом Ассоциации промышленных предприятий, Брянской ТПП, Международной ассоциации «МЕТРО».

Прошедшие 17 лет ООО НПО «Электронтехника» возглавляют генеральный директор Виталий Сорокин, заместитель генерального директора Павел Смирнов.

Созданные коллективы разработчиков (главный конструктор – С.Таников, начальник конструкторского сектора – А.Кузьменко) и производственных специалистов (мастера участков – А.Греков, Л.Хоробровская) успешно заняли нишу в производстве и поставке аппаратуры тоннельной связи для метрополитенов России и стран СНГ. Высоким спросом пользуются диспетчерские станции на железной дороге и магистральных нефте- и газопроводах. Применение данной станции позволит в десятки раз сократить массогабаритные показатели, повысить функциональность аппаратуры и оперативность в работе.

НАУЧНЫЕ ШКОЛЫ МОСКОВСКОГО ИНСТИТУТА РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ

А.С.Сигов, А.А.Щука

В 1993 г. МИРЭА получает статус технического университета.

В 1998 г. ректором МИРЭА был избран профессор А.С.Сигов.

В сложных экономических условиях профессор А.С.Сигов нашел пути становления института на рельсы развития как элитного учебного заведения, так и кузницы научных кадров. Будучи специалистом в области физики твердого тела, твердотельной электроники и физического материаловедения, он создал свою научную школу по этим перспективным направлениям электроники. Одновременно стали развиваться и научные школы в области полупроводниковой и квантовой электроники, члена-корреспондента АН СССР/РАН, дважды лауреата Государственной премии СССР Л.Н.Курбатова; специалиста в области информационных систем и элементной базы оптоэлектроники и теплопеленгации, члена-корреспондента РАН А.М.Филачева; специалиста в области оптики, лазерной техники и нанотехнологий, лауреата Государственной премии, члена-корреспондента РАН В.И.Конова; специалиста в области СВЧ-микроэлектроники, члена-корреспондента РАН В.Г.Мокерова. Новый импульс в развитии научной школы в области разработки телекоммуникационных и навигационных спутниковых систем дал лауреат Ленинской и Государственной премий, член-корреспондент РАН Г.М.Чернявский. С наметившимся интенсивным развитием безопасности информационных систем формируются научные школы по отделению нанотехнологий и информационных технологий академика РАН И.А.Соколова. Ректор академик А.С.Сигов активно развивает научные школы в области физики элементарных частиц. Привлечены были выдающийся специалист – академик РАН А.Н.Сисакян; крупный специалист в области физики пучков заряженных частиц и ускорительной техники, лауреат Государственной премии, член-корреспондент РАН И.Н.Мешков; специалист в области ускорителей заряженных частиц, член-корреспондент РАН Г.Д.Ширков. Научные школы, созданные под их руководством, успешно развиваются в филиале МИРЭА в г. Дубна.

В соответствии с веяниями времени в 2000 г. в МИРЭА был открыт факультет экономики. Гуманитарное направление в техническом университете потребовало формирования своих научных школ. Были привлечены специалист в области разработки рыночных механизмов управления экономикой, моделирования процессов ценообразования, теории и методов реализации экономической политики в рыночных условиях хозяйствования академик РАН Н.Я.Петраков; специалист в области эргономики, психологии труда, член-корреспондент Российской академии образования В.М.Мунипов; специалист в области когнитивной, инженерной и экспериментальной психологии, действительный член Российской академии образования В.П.Зинченко.

В области развития научных исследований в МИРЭА ректоратом поддерживаются приоритетные научные разработки, создаются новые учебно-научные комплексы и центры, объединяющие усилия академических и отраслевых институтов на базе МИРЭА. Активно используется инновационный потенциал своих научных сотрудников и научных групп, осуществляется обеспечение их юридической и экономической помощью.

Московский Государственный технический университет МИРЭА в совокупности со своими базовыми предприятиями представляет уникальный научный комплекс, сотрудники которого способны проводить исследования в области наукоемких технологий двойного назначения. Одной из приоритетных задач является активное участие во внешнеэкономической деятельности по продвижению передовых технологий на зарубежные рынки. Заключены долгосрочные договоры о совместных исследованиях с рядом фирм Европы и Юго-Восточной Азии. Сотрудники вуза регулярно приглашаются для чтения лекций и проведения научных исследований в зарубежные университеты.